[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

存储区域，包括至少一个块存储区，所述块存储区包括由栅线隔槽区划分而成的若干指存储区；

标识结构，包括至少一个标识；

所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围，用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址；

所述标识包括至少一子标识，所述子标识用于标示所述存储区域中的块存储区在所述三维存储器中的地址；

所述子标识位于所述指存储区；或者，所述子标识位于所述栅线隔槽区；

或者，所述子标识位于所述栅线隔槽区的外围。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括多个呈阵列排布的存储区域；所述标识结构包括多个互不相同的标识，所述多个互不相同的标识与所述多个存储区域一一对应，以标示每一存储区域在所述三维存储器中的地址。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：位于所述指存储区的若干层间隔排列的栅极；

位于所述栅线隔槽区的阵列共源极。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，位于所述栅线隔槽区外围的所述子标识由自所述阵列共源极的末端向远离若干层所述栅极的方向延伸形成。

5.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述指存储区的介质层，所述介质层覆盖若干层所述栅极；

位于所述指存储区的子标识位于所述介质层内。

6.根据权利要求1至5任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述标识为图案。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述图案为字符。

8.根据权利要求1至5任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述标识为具有图案的图形块。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3DNAND存储器。

10.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在所述三维存储器的存储区域或者存储区域的外围形成标识结构，所述标识结构包括至少一个标识，用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址，所述存储区域包括至少一个块存储区，所述块存储区包括由栅线隔槽区划分而成的若干指存储区；

所述标识包括至少一子标识，所述子标识用于标示所述存储区域中的块存储区在所述三维存储器中的地址；

所述子标识位于所述指存储区；或者，所述子标识位于所述栅线隔槽区；

或者，所述子标识位于所述栅线隔槽区的外围。

11.根据权利要求10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：

提供一块存储区；

刻蚀所述块存储区，形成栅线隔槽区，所述栅线隔槽区将所述块存储区划分为若干指存储区，所述指存储区包括若干层间隔排列的栅极；

填充导电层于所述栅线隔槽区，形成阵列共源极。

12.根据权利要求11所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括与所述栅线隔槽区的栅线隔槽连通的标识槽，所述标识槽自所述栅线隔槽的末端向远离若干层所述栅极的方向延伸；

形成所述子标识的步骤包括：

沉积导电层，所述导电层填充于所述栅线隔槽区和标识槽，填充于所述标识槽的导电层作为所述子标识。

13.根据权利要求11所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：

形成介质层，所述介质层覆盖若干层所述栅极；

刻蚀所述介质层，形成所述子标识。