[发明专利]三维存储器及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：存储区域，包括至少一个块存储区；标识结构，包括至少一个标识；所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围，用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址。本发明能够快速定位到目标地址，大大提高了工作效率和定位成功率，减少了失效分析的成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。

背景技术

随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3D NAND(三维NAND)存储器；随着集成度的越来越高，3D NAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。

失效分析是通过对失效器件的理化实验和理论分析找出失效的机理，提出减少或消除与失效机理相关失效模式的全过程。在半导体器件的设计、研制、生产、可靠性试验及质量信息反馈等过程中，都离不开失效分析。

在对存储器进行失效分析的过程中，失效点的精确定位是一个基本前提。在定位过程中，经常需要定位到某一块存储区(Block)，甚至是块存储区中的某个具体的阵列共源极(Array Common Source，ACS)。但是，现有的定位方法只能通过人为数地址并在FIB(forward information database，转发信息库)打开Mark(标记)来进行定位。但是，人为数地址的方式费时费力且易出错，使用FIB定位增加了失效分析的时间，也是对FIB资源的一种浪费。

因此，如何实现对存储器中目标地址快速、准确的定位，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种三维存储器及其制造方法，用以实现对存储器中目标地址快速、准确的定位，提高存储器的生产效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种三维存储器，包括：

存储区域，包括至少一个块存储区；

标识结构，包括至少一个标识；

所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围，用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址。

优选的，所述三维存储器包括多个呈阵列排布的存储区域；所述标识结构包括多个互不相同的标识，所述多个互不相同的标识与所述多个存储区域一一对应，以标示每一存储区域在所述三维存储器中的地址。

优选的，所述标识包括至少一子标识，所述子标识用于标示所述存储区域中的块存储区在所述三维存储器中的地址。

优选的，所述块存储区包括由栅线隔槽区划分而成的若干指存储区；

所述三维存储器还包括：位于所述指存储区的若干层间隔排列的栅极；

位于所述栅线隔槽区的阵列共源极。

优选的，所述子标识位于所述指存储区；或者，所述子标识位于所述栅线隔槽区；或者，所述子标识位于所述栅线隔槽区的外围。

优选的，位于所述栅线隔槽区外围的所述子标识由自所述阵列共源极的末端向远离若干层所述栅极的方向延伸形成。

优选的，还包括位于所述指存储区的介质层，所述介质层覆盖若干层所述栅极；

位于所述指存储区的子标识位于所述介质层内。

优选的，所述标识构造为图案。

优选的，所述图案为字符。

优选的，所述标识为具有图案的图形块。