[发明专利]用于焊盘开口和沟槽的钝化结构

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；

层间介电(ILD)层，覆盖所述衬底，其中，所述层间介电层至少部分地限定沟槽，并且其中，所述沟槽从所述层间介电层的顶部延伸穿过所述层间介电层至所述衬底；

导电焊盘，位于所述层间介电层上面；

第一钝化层，位于所述层间介电层和所述导电焊盘上面，其中，所述第一钝化层限定所述导电焊盘上面的焊盘开口；以及

第二钝化层，位于所述层间介电层、所述导电焊盘和所述第一钝化层上面并且进一步内衬所述焊盘开口中的所述第一钝化层的侧壁和所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁并且具有沿着所述导电焊盘的顶面进一步延伸的水平部分，

其中，所述第一钝化层具有下层和覆盖所述下层的上层，所述下层相对于所述层间介电层、所述上层和所述第二钝化层具有更低的湿气或蒸汽渗透率。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一钝化层部分地限定所述沟槽，其中，所述第二钝化层直接内衬所述沟槽中的所述第一钝化层的额外的侧壁，并且其中，所述第二钝化层直接内衬所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二钝化层在所述沟槽中具有上表面，其中，所述第二钝化层的上表面凹进至所述第二钝化层的顶面和所述层间介电层的顶面之下。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一钝化层直接内衬所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁，其中，所述第二钝化层内衬所述层间介电层上方的第一钝化层的侧壁。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一钝化层在所述沟槽中具有上表面，其中，所述第一钝化层的上表面凹进至所述第一钝化层的顶面和所述层间介电层的顶面之下，其中，所述第二钝化层在所述沟槽中具有上表面，并且其中，所述第二钝化层的上表面凹进至所述第二钝化层的顶面和所述层间介电层的顶面之下。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述沟槽中的所述第二钝化层的部分具有U形或V形截面轮廓。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述沟槽在闭合路径中横向延伸以完全包围所述层间介电层的中心部分，并且将所述层间介电层的中心部分与所述层间介电层的外围部分分隔开，其中，所述导电焊盘位于所述层间介电层的中心部分上，并且其中，所述第二钝化层从所述层间介电层的外围部分正上方连续地延伸穿过所述沟槽至所述导电焊盘。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述层间介电层包括氧化物，并且其中，所述第二钝化层包括氮化硅、氧化铝或聚酰亚胺。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底包括：

块状半导体衬底；以及

III-V族层，覆盖所述块状半导体衬底，其中，所述层间介电层覆盖所述III-V族层，其中，所述沟槽延伸穿过所述III-V族层至所述块状半导体衬底，并且其中，所述沟槽部分地由所述III-V族层限定。