[发明专利]用于焊盘开口和沟槽的钝化结构

说明书

提供了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路(IC)。在一些实施例中，层间介电(ILD)层覆盖衬底并且至少部分地限定沟槽。该沟槽从ILD层的顶部延伸穿过ILD层至衬底。导电焊盘位于ILD层上面。第一钝化层位于ILD层和导电焊盘上面，并且进一步限定导电焊盘上面的焊盘开口。第二钝化层位于ILD层、导电焊盘和第一钝化层上面，并且进一步内衬焊盘开口中的第一钝化层的侧壁和沟槽中的ILD层的侧壁。此外，第二钝化层相对于ILD层具有低湿气或蒸汽渗透率。本发明的实施例还涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。

技术领域

本发明的实施例涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。

背景技术

基于硅的半导体器件已经成为过去几十年的标准。然而，为了超越基于硅的半导体器件的优势，基于替代材料的半导体器件越来越受到关注。例如，与基于硅的半导体器件相比，基于III-V族半导体材料的半导体器件由于高电子迁移率和宽带隙而受到越来越多的关注。这种高电子迁移率和宽带隙允许改进的性能和高温应用。

发明内容

本发明的实施例提供了一种集成电路，包括：衬底；层间介电(ILD)层，覆盖所述衬底，其中，所述层间介电层至少部分地限定沟槽，并且其中，所述沟槽从所述层间介电层的顶部延伸穿过所述层间介电层至所述衬底；导电焊盘，位于所述层间介电层上面；第一钝化层，位于所述层间介电层和所述导电焊盘上面，其中，所述第一钝化层限定所述导电焊盘上面的焊盘开口；以及第二钝化层，位于所述层间介电层、所述导电焊盘和所述第一钝化层上面并且进一步内衬所述焊盘开口中的所述第一钝化层的侧壁和所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁。

本发明的另一实施例提供了一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括：沉积覆盖衬底的层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上面形成导电焊盘；对所述层间介电层实施第一蚀刻以形成沟槽，其中，所述沟槽从所述层间介电层的顶部延伸穿过所述层间介电层至所述衬底；沉积覆盖所述层间介电层和所述导电焊盘的第一钝化层；对所述第一钝化层实施第二蚀刻以在所述导电焊盘上面形成暴露所述导电焊盘的焊盘开口；以及沉积第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述层间介电层、所述导电焊盘和所述第一钝化层，并且进一步内衬所述焊盘开口中的所述第一钝化层的侧壁和所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁，其中，所述第二钝化层相对于所述层间介电层具有低湿气或蒸汽渗透率。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路，包括：半导体衬底；III-V族层，覆盖所述半导体衬底；半导体器件，位于所述III-V族层上面并且部分地由所述III-V族层限定；互连结构，覆盖所述半导体器件和所述III-V族层，其中，所述互连结构包括层间介电层、多条引线和多个通孔，其中，所述引线和所述通孔交替堆叠在所述层间介电层中，其中，所述层间介电层和所述III-V族层至少部分地限定沟槽，并且其中，所述沟槽在闭合路径中横向延伸以完全包围所述半导体器件；导电焊盘，位于所述层间介电层上面并且通过所述引线和所述通孔电连接至所述半导体器件；第一钝化层，位于所述层间介电层和所述导电焊盘上面，其中，所述第一钝化层限定所述导电焊盘上面的焊盘开口；以及第二钝化层，位于所述层间介电层、所述导电焊盘和所述第一钝化层上面，并且进一步内衬所述焊盘开口中的所述第一钝化层的侧壁和所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁，其中，所述第二钝化层相对于所述层间介电层具有低水蒸气渗透率。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路的一些实施例的截面图。

图2A至图2C示出了图1的集成电路的一些更详细的实施例的各个视图。

图3A至图3F示出了图1的集成电路的各个可选实施例的截面图。