[发明专利]半导体器件的对准方法

权利要求书

1.一种半导体器件的对准方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底的上表面形成有第一对准标记；

在所述衬底上形成膜层，所述膜层由多层薄膜堆叠而成，所述多层薄膜中包括至少一个非透明薄膜，所述至少一个非透明薄膜和所述衬底间具有至少一个透明薄膜；所述多层薄膜以单一的方式与所述衬底对准，其中所述多层薄膜的最下层薄膜的下表面与衬底的上表面共形，所述多层薄膜的最上层薄膜的上表面在对应所述第一对准标记的位置形成第二对准标记；所述衬底和膜层中不包括用于非透明薄膜的间接对准的辅助对准层。

2.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于：形成所述膜层的方法包括薄膜沉积。

3.如权利要求2所述的对准方法，其特征在于：所述薄膜沉积的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积中的至少一种。

4.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于：

所述对准方法还包括以第二对准标记进行对准。

5.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述第一对准标记包括凹陷结构和/或凸起结构。

6.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于：所述第一对准标记的垂直尺寸的下限是100纳米或150纳米。

7.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于：所述第一对准标记为具有第一边和长度大于所述第一边的长度的第二边的矩形凹槽。

8.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于：还包括：对所述膜层进行图形化，以在所述膜层内形成图形。

9.如权利要求8所述的对准方法，其特征在于，对所述膜层进行图形化，以在所述膜层内形成图形的方法包括：

在所述膜层上形成牺牲层；

对所述牺牲层进行平坦化；

在平坦化的所述牺牲层上形成光刻胶层；

以所述第二对准标记为参照基准，对所述光刻胶层进行图形化，以在所述光刻胶层的预设位置形成图形；

以图形化后的所述光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行图形化；

去除图形化后的所述光刻胶层，以图形化后的所述牺牲层为掩膜，对所述膜层进行图形化，在所述膜层内形成图形。

10.如权利要求9所述的对准方法，其特征在于：所述牺牲层为透明层。

11.根据权利要求9所述的对准方法，其特征在于：所述牺牲层和所述膜层的材料不同；

以选择性湿法刻蚀去除所述牺牲层。

12.根据权利要求9所述的对准方法，其特征在于：所述牺牲层的材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或者多种。

13.根据权利要求9所述的对准方法，其特征在于：在判断为在所述膜层内形成的图形的关键尺寸小于预设阈值时，形成所述牺牲层。

14.根据权利要求8所述的对准方法，其特征在于：对所述膜层进行图形化，以在所述膜层内形成图形的方法包括：

判断为在所述膜层内形成的图形的关键尺寸大于预设阈值时，在所述膜层上形成光刻胶层；

以所述第二对准标记为参照基准，对所述光刻胶层进行图形化，以在所述光刻胶层的预设位置形成图形；

以图形化后的所述光刻胶层为掩膜，对所述膜层进行图形化；

去除所述光刻胶层。

15.根据权利要求13或14所述的对准方法，其特征在于：所述预设阈值的范围是100纳米至150纳米。

16.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于：所述半导体器件是一种用于制作三维存储器的晶圆，所述第一对准标记位于所述晶圆的切割道上。