[发明专利]半导体器件的对准方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的对准方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有第一对准标记；在所述衬底上形成膜层，所述膜层的表面与衬底的表面共形，使得所述膜层的表面在对应所述第一对准标记的位置形成第二对准标记。本发明提供的半导体器件的对准方法通过在第一对准标记上形成膜层的方法，利用共形形成的第二对准标记进行对准。相对于传统的设置辅助对准层的对准方法，具有对准精度高、工艺流程较少的特点。

技术领域

本发明主要涉及半导体生产和制造领域，尤其涉及一种半导体器件的对准方法。

背景技术

随着对高度集成电子装置的持续重视，对以更高的速度和更低的功率运行并具有更大的器件密度的半导器件存在持续的需求。因此，具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直阵列布置的晶体管单元的多层器件等新型半导体器件被发明出来。以存储器领域为例，三维存储器是业界所研发的一种新兴的闪存类型，通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决平面存储器带来的限制，其具备卓越的精度，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，可打造出存储容量比同类存储器高达数倍的存储设备，进而有效降低成本和能耗，能全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

继续以三维存储器为例，由于三维存储器具有多层膜层，而且不同层之间的结构之间的相对位置需要严格符合设计要求，因此三维存储器的制作过程对对准的要求较高。现有的三维存储器在进行对准时，尤其是在三维存储器具有一个或者多个不透明的层时，往往采用间接对准的方式。即先通过在不透明层的下方形成一辅助对准层，并将辅助对准层上的对准结构与衬底上的对准结构对准，再在辅助对准层上设置不透明的层，接着在不透明的层上形成膜层，并利用辅助对准层上的对准结构为对准标记在该膜层内的设定位置形成图形。

这样的间接对准方法虽然能够实现对准，但是由于会发生误差累加，所以不利于套刻精度(OVL)的控制。另一方面，由于需要设置辅助对准层，因此工艺流程较为复杂。所以，有必要提出一种对准精度高、工艺流程相对简单的半导体器件的对准方法。

发明内容

应当理解，本发明以上的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在为如权利要求该的本发明提供进一步的解释。

为解决本发明的至少一部分技术问题，本发明提供一种半导体器件的对准方法，包括：

提供衬底，该衬底的表面形成有第一对准标记；

在该衬底上形成膜层，该膜层的表面与衬底的表面共形，使得该膜层的表面在对应该第一对准标记的位置形成第二对准标记。

根据本发明的至少一个实施例，形成该膜层的方法包括薄膜沉积。

根据本发明的至少一个实施例，该薄膜沉积的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积中的至少一种。

根据本发明的至少一个实施例，该膜层为单层，或者该膜层由多层薄膜堆叠而成。

根据本发明的至少一个实施例，该膜层由多层薄膜堆叠而成，该多层薄膜中包括至少一个非透明薄膜，该至少一个非透明薄膜和该衬底间具有至少一个透明薄膜；

该对准方法包括以第二对准标记进行对准。

根据本发明的至少一个实施例，该第一对准标记包括凹陷和/或凸起结构。

根据本发明的至少一个实施例，该第一对准标记的垂直尺寸的下限是100纳米或150纳米。

根据本发明的至少一个实施例，该第一对准标记为具有第一边和长度大于该第一边的长度的第二边的矩形凹槽。

根据本发明的至少一个实施例，本发明提供的堵转方法还包括：对该膜层进行图形化，以在该膜层内形成图形。

根据本发明的至少一个实施例，对该膜层进行图形化，以在该膜层内形成图形的方法包括：