[发明专利]像素结构及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201810420148.9 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN110112174B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 史文;陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括多个子像素组,每个所述子像素组包括多个同色子像素,其特征在于,每个所述像素单元包括:
基板;
像素电极层,设于所述基板上,所述像素电极层包括像素电极区及设置在所述像素电极区之间的绝缘氧化区,以使所述绝缘氧化区分隔相邻的所述像素电极区;所述绝缘氧化区包括第一绝缘区,所述第一绝缘区用于隔断相邻所述同色子像素的像素电极区,所述像素电极层由位于所述基板上的第一电极层部分氧化得到,其中,所述第一电极层氧化的部分形成所述绝缘氧化区,所述第一电极层未氧化的部分形成所述像素电极区;
像素界定层,设于所述像素电极层上,用于形成墨水沉积坑,以使所述子像素组的墨水能够在所述墨水沉积坑中沉积。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述绝缘氧化区还包括第二绝缘区,所述第二绝缘区用于隔断相邻所述子像素组的像素电极区;所述像素界定层设于所述第二绝缘区上。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极区的材质为导电金属,所述第一绝缘区的材质为所述导电金属的氧化物,所述第二绝缘区的材质为所述导电金属的氧化物。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素界定层还设置于所述像素电极区的边缘上。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极区远离所述基板的表面与所述第一绝缘区远离所述基板的表面共面。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素界定层为疏水性像素界定层。
7.一种像素结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板,在所述基板上制备第一电极层;
在所述第一电极层上形成光阻层;
光刻所述光阻层,将部分区域的光阻去除从而暴露出该区域的第一电极层;
氧化暴露出的所述第一电极层形成绝缘氧化区,所述绝缘氧化区包括第一绝缘区及第二绝缘区;
在所述第二绝缘区上制备像素界定层,得到所述像素结构。
8.根据权利要求7所述的像素结构的制备方法,其特征在于,氧化暴露出的所述第一电极层形成绝缘氧化区的步骤,是通过离子注入工艺进行氧化。
9.根据权利要求7或8所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述第一电极层为金属电极层。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的像素结构或权利要求7-9任一项所述的像素结构的制备方法制备的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的