[发明专利]像素结构及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201810420148.9 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN110112174B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 史文;陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种像素结构及其制备方法、显示面板。包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素组,每个子像素组包括多个同色子像素。每个像素单元包括:基板、像素电极层及像素界定层。像素电极层设于基板上,包括像素电极区及设置在像素电极区之间的绝缘氧化区,绝缘氧化区包括用于隔断相邻同色子像素的像素电极区的第一绝缘区。像素界定层设于像素电极层上,用于形成墨水沉积坑,以使子像素组的墨水能够在墨水沉积坑中沉积。上述像素结构只具有一道像素界定层,能够防止像素电极区尖端放电且扩大了墨水的沉积区域,从而能够使显示装置实现高分辨率显示。
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域,尤其涉及一种像素结构及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着科技发展,可视信息传输媒介的显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。目前显示器件的研究主要有机电致发光二极管(OLED)及量子点发光二极管(QLED)两个方向。有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点;量子点发光二极管(QLED)则具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
目前,在印刷工艺中,通过像素排列结构的优化,将相邻像素相同颜色子像素集中在一起,然后运用双层像素界定层结构的设计,实现高分辨率显示器的制备。像素界定层又称PDL层或像素bank,在传统双层像素界定层结构中,第一层像素界定层覆盖像素电极边缘区防止后期工作时产生尖端放电导致短路,第二层像素界定层围成墨水沉积区,从而扩大墨水的沉积区域,从而实现高分辨率显示。但是,采用这种设计的需要进行两次像素界定层的图形化工艺,制作工序较为复杂,增加了制程时间以及制作成本。
发明内容
基于此,有必要针对提高显示器分辨率同时简化其制作工艺的问题,提供一种像素结构及其制备方法、显示面板。
一种像素结构,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括多个子像素组,每个所述子像素组包括多个同色子像素,每个所述像素单元包括:
基板;
像素电极层,设于所述基板上,所述像素电极层包括像素电极区及设置在所述像素电极区之间的绝缘氧化区,以使所述绝缘氧化区分隔相邻的所述像素电极区;所述绝缘氧化区包括第一绝缘区,所述第一绝缘区用于隔断相邻所述同色子像素的像素电极区;
像素界定层,设置于所述像素电极层上,用于形成墨水沉积坑,以使所述子像素组的墨水能够在所述墨水沉积坑中沉积。
上述像素结构,包括基板、像素电极层及像素界定层。像素电极层设于基板上,包括像素电极区及设置在像素电极区之间的绝缘氧化区,绝缘氧化区分隔相邻的所述像素电极区,绝缘氧化区包括第一绝缘区,第一绝缘区用于隔断相邻同色子像素的像素电极区,避免同色子像素的像素电极区间产生尖端放电;像素界定层像素电极层上,用于形成墨水沉积坑,以使子像素组的墨水能够在所述墨水沉积坑中沉积。像素界定层能够使得每个子像素组的墨水沉积在其对应的墨水沉积槽内。与传统的像素结构相比,首先,上述像素结构减少了一道像素界定层,同时也能避免蚀刻过程中像素电极区的边缘区尖端放电产生的短路现象。从制备角度讲,能够降低成本,提高产能的作用。其次,第一绝缘区与像素界定层的配合,能够使得由相同颜色的子像素组成的子像素组的墨水沉积在同一个墨水沉积槽内,有效地减少相应子像素的面积,增大了墨水沉积区的面积,从而提高显示分辨率。
在其中一个实施例中,所述基板为玻璃基板或柔性基板。
在其中一个实施例中,所述绝缘氧化区还包括第二绝缘区,所述第二绝缘区用于隔断相邻所述子像素组的像素电极区;所述像素界定层设于所述第二绝缘区上。
在其中一个实施例中,所述像素电极区的材质为导电金属,所述第一绝缘区的材质为所述导电金属的氧化物,所述第二绝缘区的材质为所述导电金属的氧化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的