[发明专利]一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法在审
| 申请号： | 201810420910.3 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108649953A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 徐代果;胡刚毅;徐学良;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;徐世六 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12;H03M1/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采样开关 输出端 输入端 升压电路 浮空技术 程度减小 电路实现 寄生电容 栅极连接 采样管 衬底 采集 引入 | ||
1.一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。
2.根据权利要求1所述的一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，所述升压电路为自举结构BOOST电路。
3.根据权利要求1所述的一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，当采样开关NMOS管NM1处于关断状态时，开关SN导通，采样开关NMOS管NM1的衬底P阱电位被开关SN钳位为0。
4.根据权利要求1或3所述的一种基于P阱浮空技术的采样开关，其特征在于，当采样开关NMOS管NM1处于采样状态时，开关SN断开，采样开关NMOS管NM1的衬底P阱处于浮空状态。
5.一种基于P阱浮空技术的采样开关的控制方法，其特征在于，该采样开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间；当采样开关NMOS管NM1处于关断状态时，开关SN导通，采样开关NMOS管NM1的衬底P阱电位被开关SN钳位为0。
6.一种基于P阱浮空技术的采样开关的控制方法，其特征在于，该采样开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间；当采样开关NMOS管NM1处于采样状态时，开关SN断开，采样开关NMOS管NM1的衬底P阱处于浮空状态。
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