[发明专利]驱动背板及其制造方法有效
申请号: | 201810421224.8 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN110444546B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 储培鸣 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;钟宗 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 背板 及其 制造 方法 | ||
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:
一基板,
一缓冲层,形成于所述基板上;
一多晶硅层,形成于所述缓冲层上;
若干绝缘层,形成于所述多晶硅层上,所述绝缘层具有若干同心的接触孔,所述接触孔露出所述多晶硅层;
一第一金属层,形成于所述绝缘层上,所述第一金属层通过所述接触孔电连接所述多晶硅层;
一接触孔层,形成于所述第一金属层上;以及
一避开所述接触孔的第二金属层,形成于所述接触孔层上,所述第二金属层的走线具有至少一非直线型的绕开部和至少一直线型的导线部,所述绕开部自所述接触孔的一侧绕过所述接触孔,所述绕开部与所述接触孔的间距大于1um,所述导线部与所述接触孔不交叠,并且所述导线部指向相邻的所述接触孔。
2.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于:所述导线部与所述绕开部之间相互间隔。
3.如权利要求2所述的驱动背板,其特征在于:所述多晶硅层与所述第一金属层之间至少具有从下到上依次叠置第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层,所述绝缘层之间分别设有一金属层。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的驱动背板,其特征在于:所述绕开部包括至少两段相连的折线。
5.如权利要求4所述的驱动背板,其特征在于:所述接触孔与所述折线之间的间距相等。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的驱动背板,其特征在于:所述绕开部为一段圆弧。
7.如权利要求6所述的驱动背板,其特征在于:所述接触孔位于所述圆弧的圆心。
8.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于:第一金属层具有第一信号线的走线图案。
9.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于:第二金属层具有第二信号线的走线图案。
10.一种驱动背板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,
于所述基板上形成一缓冲层;
于所述缓冲层上一形成多晶硅层;
于所述多晶硅层上形成一第一绝缘层,所述绝缘层具有若干接触孔,所述接触孔露出所述多晶硅层;
于所述绝缘层上形成一第一金属层,所述第一金属层通过所述接触孔电连接所述多晶硅层;
于所述第一金属层上形成一接触孔层;以及
于所述接触孔层上形成一避开所述接触孔的第二金属层,所述第二金属层的走线具有至少一非直线型的绕开部和至少一直线型的导线部,所述绕开部自所述接触孔的一侧绕过所述接触孔,所述绕开部与所述接触孔的间距大于1um,所述导线部与所述接触孔不交叠,并且所述导线部指向相邻的所述接触孔。
11.如权利要求10所述的驱动背板的制造方法,其特征在于:所述导线部与所述绕开部之间相互间隔。
12.如权利要求11所述的驱动背板的制造方法,其特征在于:所述多晶硅层与所述第一金属层之间至少具有从下到上依次叠置第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层,所述绝缘层之间分别设有一金属层。
13.如权利要求10至12中任意一项所述的驱动背板的制造方法,其特征在于:所述绕开部包括至少两段相连的折线。
14.如权利要求13所述的驱动背板的制造方法,其特征在于:所述接触孔与所述折线之间的间距相等。
15.如权利要求10至12中任意一项所述的驱动背板的制造方法,其特征在于:所述绕开部为一段圆弧。
16.如权利要求15所述的驱动背板的制造方法,其特征在于:所述接触孔位于所述圆弧的圆心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的