[发明专利]一种湿刻蚀装置有效
申请号: | 201810423918.5 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108565232B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 周斌;王东方;赵策;成军;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
1.一种湿刻蚀装置,包括依次设置的缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元,所述刻蚀单元包括多个刻蚀槽;其特征在于,还包括:
传送单元,用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过所述缓冲单元、所述刻蚀单元和所述冲洗单元;
搬运单元,所述搬运单元设置在所述刻蚀单元的外侧,所述搬运单元用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件沿所述刻蚀单元的外侧搬运至所述冲洗单元处;
控制单元,所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时,控制所述搬运单元启动,以使所述搬运单元将所述待刻蚀件搬运至所述冲洗单元处的所述传送单元上;并控制所述传送单元反向运转后再正向运转,以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀,再从所述刻蚀单元的出口返回到所述冲洗单元内进行冲洗;
其中,沿所述传送单元正向运转时的传送方向,所述刻蚀单元包括第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和第三刻蚀槽;
所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时,控制所述传送单元反向运转后再正向运转,以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述第三刻蚀槽中进行刻蚀,再从所述第三刻蚀槽返回到所述冲洗单元内进行冲洗。
2.根据权利要求1所述的湿刻蚀装置,其特征在于,所述搬运单元包括第一升降机构、第二升降机构和传送机构,所述第一升降机构位于所述刻蚀单元的入口侧的上方;所述第二升降机构位于所述冲洗单元的上方;所述传送机构位于所述刻蚀单元的上方;
所述第一升降机构用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件升至所述传送机构上;所述传送机构用于将所述待刻蚀件传送到所述第二升降机构处;所述第二升降机构用于将所述传送机构上的所述待刻蚀件降至所述冲洗单元处的所述传送单元上。
3.根据权利要求2所述的湿刻蚀装置,其特征在于,还包括有机物处理单元,所述有机物处理单元设置在所述缓冲单元和所述刻蚀单元之间;
所述第一升降机构设置在所述有机物处理单元的上方,用于将经过所述有机物处理单元的所述待刻蚀件升至所述传送机构上。
4.根据权利要求1所述的湿刻蚀装置,其特征在于,还包括终极冲洗单元,所述终极冲洗单元位于所述冲洗单元远离所述刻蚀单元的一侧;
所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述终极冲洗单元。
5.根据权利要求4所述的湿刻蚀装置,其特征在于,还包括干燥单元,所述干燥单元位于所述终极冲洗单元远离所述冲洗单元的一侧;
所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述干燥单元。
6.根据权利要求5所述的湿刻蚀装置,其特征在于,还包括设置在所述干燥单元和所述终极冲洗单元之间的气刀单元;
所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述气刀单元。
7.根据权利要求2所述的湿刻蚀装置,其特征在于,所述第一升降机构和所述第二升降机构均为升降机。
8.根据权利要求2所述的湿刻蚀装置,其特征在于,所述传送机构为传送带。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造