[发明专利]一种湿刻蚀装置

说明书

本发明实施例提供一种湿刻蚀装置，涉及湿刻蚀技术领域，能够解决由于待刻蚀件在刻蚀槽中传送时间较长，无法实现较薄膜层的精细刻蚀问题。所述湿刻蚀装置包括：传送单元，用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元；搬运单元，用于将位于刻蚀单元的入口侧的待刻蚀件沿刻蚀单元的外侧搬运至冲洗单元处；控制单元，用于在待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制搬运单元启动，以使搬运单元将待刻蚀件搬运至冲洗单元处的传送单元上；并控制传送单元反向运转后再正向运转，以使待刻蚀件从刻蚀单元的出口进入刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀，再从刻蚀单元的出口返回到冲洗单元内进行冲洗。本发明用于湿法刻蚀。

技术领域

本发明涉及湿刻蚀领域，尤其涉及一种湿刻蚀装置。

背景技术

湿法刻蚀工艺主要是指采用液态化学药品对刻蚀物进行去除的刻蚀技术，具体为通过刻蚀液与刻蚀物进行化学反应，改变刻蚀物的结构，使无光刻胶覆盖的刻蚀物部分脱离基板表面，而把有光刻胶覆盖的刻蚀物区域保存下来，这样在基板上就得到了所需要的刻蚀物图形。

湿法刻蚀设备一般是在刻蚀槽内利用酸性液体通过喷嘴对待刻蚀基板进行喷淋，从而达到刻蚀目的。随着平板显示行业中基板尺寸的增大，高世代线规模变大，以8.5G为例，参考图1所示，待刻蚀基板依次经过三个刻蚀槽01的最快传送时间一般为38.4s，由于在刻蚀槽01中停留时间较长，导致高世代线上只能针对较厚膜层进行刻蚀，而无法对厚度较低的膜层进行刻蚀，即无法精细对应较薄膜层的刻蚀工艺，进而导致高世代线的湿法刻蚀设备的适用范围较窄。

发明内容

本发明的实施例提供一种湿刻蚀装置，能够解决由于高世代线区域过大而导致的待刻蚀件在刻蚀槽中传送时间较长，无法实现对于较薄膜层的精细刻蚀的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种湿刻蚀装置，包括依次设置的缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元，所述刻蚀单元包括多个刻蚀槽；还包括：传送单元，用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过所述缓冲单元、所述刻蚀单元和所述冲洗单元；搬运单元，所述搬运单元设置在所述刻蚀单元的外侧，所述搬运单元用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件沿所述刻蚀单元的外侧搬运至所述冲洗单元处；控制单元，所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制所述搬运单元启动，以使所述搬运单元将所述待刻蚀件搬运至所述冲洗单元处的所述传送单元上；并控制所述传送单元反向运转后再正向运转，以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀，再从所述刻蚀单元的出口返回到所述冲洗单元内进行冲洗。

可选的，所述搬运单元包括第一升降机构、第二升降机构和传送机构，所述第一升降机构位于所述刻蚀单元的入口侧的上方；所述第二升降机构位于所述冲洗单元的上方；所述传送机构位于所述刻蚀单元的上方；所述第一升降机构用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件升至所述传送机构上；所述传送机构用于将所述待刻蚀件传送到所述第二升降机构处；所述第二升降机构用于将所述传送机构上的所述待刻蚀件降至所述冲洗单元处的所述传送单元上。

可选的，还包括有机物处理单元，所述有机物处理单元设置在所述缓冲单元和所述刻蚀单元之间；所述第一升降机构设置在所述有机物处理单元的上方，用于将经过所述有机物处理单元的所述待刻蚀件升至所述传送机构上。

可选的，沿所述传送单元正向运转时的传送方向，所述刻蚀单元包括第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和第三刻蚀槽；所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制所述传送单元反向运转后再正向运转，以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述第三刻蚀槽中进行刻蚀，再从所述第三刻蚀槽返回到所述冲洗单元内进行冲洗。

可选的，还包括终极冲洗单元，所述终极冲洗单元位于所述冲洗单元远离所述刻蚀单元的一侧；所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述终极冲洗单元。