[发明专利]前开式晶圆传送盒在审
| 申请号： | 201810424887.5 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110071061A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 管式凡 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;周勇 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 输气管 排气管 配置 晶圆传送盒 晶圆槽 前开式 前开式晶圆盒 晶圆表面 气体流动 排气口 吸气口 有效地 层流 掉落 晶圆 紊流 气管 粒子 清洗 | ||
1.一种前开式晶圆传送盒，其特征在于，包含：
容器；
多个晶圆槽，配置于所述容器内；
至少一个输气管，配置于所述容器内，其中所述输气管具有沿着所述输气管排列的多个排气口；以及
至少一个排气管，配置于所述容器内，其中所述排气管具有沿着所述排气管排列的多个吸气口。
2.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述多个排气口的数量相同于所述多个吸气口的数量。
3.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述多个排气口实质上对齐所述多个吸气口。
4.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述输气管及所述排气管分别配置于所述容器的对角线的两个角落。
5.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述输气管及所述排气管与所述容器的内表面直接接触。
6.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述输气管及所述排气管的数量为多个。
7.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述排气管具有沿着所述排气管排列的多个突出部，且所述多个吸气口分别位于所述排气管的所述多个突出部上。
8.如权利要求1所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于：
所述输气管的所述多个排气口的尺寸沿着所述输气管逐渐增加；以及
所述排气管的所述多个吸气口的尺寸沿着所述排气管逐渐增加。
9.如权利要求8所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述多个排气口的尺寸最小者以及所述多个吸气口的尺寸最小者靠近所述容器的底部。
10.如权利要求8所述的前开式晶圆传送盒，其特征在于，所述输气管及所述排气管分别配置于连接气体源及真空泵，而所述多个排气口的尺寸最小者以及所述多个吸气口的尺寸最小者分别靠近所述气体源及所述真空泵。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810424887.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超声波蚀刻装置
- 下一篇：微组件转移设备和相关方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
