[发明专利]前开式晶圆传送盒在审
申请号: | 201810424887.5 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN110071061A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 管式凡 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;周勇 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输气管 排气管 配置 晶圆传送盒 晶圆槽 前开式 前开式晶圆盒 晶圆表面 气体流动 排气口 吸气口 有效地 层流 掉落 晶圆 紊流 气管 粒子 清洗 | ||
本发明公开了一种前开式晶圆传送盒,包括容器、晶圆槽、至少一个输气管,以及至少一个排气管。晶圆槽配置于容器内。输气管配置于容器内,其中输气管具有沿着输气管排列的多个排气口。排气管配置于容器内,其中排气管具有沿着排气管排列的多个吸气口。通过此配置,在晶圆上方的气流可趋近于层流(laminar flow)。相较于紊流(turbulent flow),此配置使得气体流动具有较佳的稳定性。因此,可有效地降低掉落在晶圆表面的粒子的数量,借此提升前开式晶圆盒的清洗品质。
技术领域
本发明是关于一种前开式晶圆传送盒。
背景技术
在半导体制造工业中,前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod;FOUP)为一种存放半导体晶圆的可携式容器。一般而言,前开式晶圆传送盒配置于工艺工具的介面上,并配置有可自动化移除的门。在工艺步骤之间,鉴于各种因素,诸如生产运行、回圈次数的多寡等,晶圆可能存放于前开式晶圆传送盒内一段时间。在这段时间内,氧气或湿气可能渗入至前开式晶圆传送盒。不幸地,氧气及湿气可能对半导体晶圆的表面造成有害的影响,故减少晶圆表面曝露于这些元素是必须的。
可通过在封闭的前开式晶圆传送盒提供清洗气体(一般而言为氮气),以降低氧气及湿气的水平。这种前开式晶圆传送盒具有配置于底面上的输入管以及输出管。清洗的过程虽可以延缓或减少氧化及颗粒的形成。然,为了降低前开式晶圆传送盒中的氧气及湿气使其达到可接受的范围,一种快速且有效的制造程序仍是必须的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可有效降低掉落在晶圆表面的粒子的数量,并提升前开式晶圆盒的清洗品质的前开式晶圆传送盒。
根据本发明的部分实施例,前开式晶圆传送盒的容器中配置有至少一个输气管及排气管。输气管具有多个沿着输气管排列的排气口,而排气管具有多个沿着排气管排列的吸气口。输气管的排气口分别对应至排气管的吸气口。借此将气流均匀地自输气管的排气口导入至两个相邻晶元之间,并由对应的排气管的吸气口移除。
根据部分实施例,排气口的数量相同于吸气口的数量。
根据部分实施例,排气口实质上对齐吸气口。
根据部分实施例,输气管及排气管分别配置于容器的对角线的两个角落。
根据部分实施例,输气管及排气管与容器的内表面直接接触。
根据部分实施例,输气管及排气管的数量为多个。
根据部分实施例,排气管具有沿着排气管排列的多个突出部,且吸气口分别位于排气管的突出部上。
根据部分实施例,输气管的排气口的尺寸沿着输气管逐渐增加。排气管的吸气口的尺寸沿着排气管逐渐增加。
根据部分实施例,排气口的尺寸最小者以及吸气口的尺寸最小者靠近容器的底部。
根据部分实施例,输气管及排气管分别配置于连接气体源及真空泵,而排气口的尺寸最小者以及吸气口的尺寸最小者分别靠近气体源及真空泵。
与现有技术相比,本发明的前开式晶圆传送盒,在晶圆上方的气流可趋近于层流(laminar flow)。相较于紊流(turbulent flow),此配置使得气体流动具有较佳的稳定性。因此,可有效地降低掉落在晶圆表面的粒子的数量,借此提升前开式晶圆盒的清洗品质。
附图说明
阅读以下详细叙述并搭配对应的附图,可了解本发明的多个方面。应注意,根据业界中的标准做法,多个特征并非按比例绘制。事实上,多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。
图1A为本发明的部分实施例的前开式晶圆传送盒的立体图。
图1B为沿着图1A的B-B所截取的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造