[发明专利]有源远边缘等离子体可调谐性在审
| 申请号： | 201810426752.2 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108807126A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | H·于;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;C-A·陈;A·巴拉克利斯纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频功率 中心电极 环形电极 等离子体 基板支撑件 嵌入 监视 施加 等离子体鞘 方法和设备 电流分布 基板边缘 基板组件 可调谐性 空间分布 位置处 远边缘 基板 环绕 | ||
1.一种用于在腔室中调谐等离子体的方法，所述方法包括：
将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极；
将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；
监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；和
基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一射频功率由第一电源施加并且所述第二射频功率由第二电源施加。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述中心电极设置在所述环形电极下方。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述环形电极部分地重叠于所述中心电极。
5.如权利要求1所述的方法，其中将所述第二射频功率施加到所述环形电极与将所述第一射频功率施加到所述中心电极同时发生。
6.如权利要求1所述的方法，还包括断开所述第一射频功率，其中所述第一射频功率在将所述第二射频功率施加到所述中心电极之前被断开。
7.如权利要求1所述的方法，还包括断开所述第二射频功率，其中所述第一射频功率是接通的。
8.如权利要求1所述的方法，还包括断开所述第一射频功率，其中所述第一射频功率在将所述第二射频功率施加到所述中心电极之后被断开。
9.一种用于在腔室中调谐等离子体的方法，所述方法包括：
将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极；
将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；
监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；和
基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率二者。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一射频功率由第一电源施加并且所述第二射频功率由第二电源施加。
11.如权利要求9所述的方法，其中所述中心电极设置在所述环形电极下方。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述环形电极部分地重叠于所述中心电极。
13.如权利要求9所述的方法，其中将所述第二射频功率施加到所述环形电极与将所述第一射频功率施加到所述中心电极同时发生。
14.如权利要求9所述的方法，还包括断开所述第一射频功率，其中所述第一射频功率在将所述第二射频功率施加到所述中心电极之前被断开。
15.如权利要求9所述的方法，还包括断开所述第二射频功率，其中所述第一射频功率是接通的。
16.如权利要求9所述的方法，还包括断开所述第一射频功率，其中所述第一射频功率在将所述第二射频功率施加到所述中心电极之后被断开。
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