[发明专利]有源远边缘等离子体可调谐性

说明书

本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。

技术领域

本文公开的实施方案总体涉及用于在基板边缘附近对等离子体进行调谐的设备和方法。

背景技术

在集成电路和其他电子器件的制造中，常常使用等离子体工艺来沉积或蚀刻各种材料层。等离子体增强化学气相沉积(Plasma-enhanced chemical vapor deposition；PECVD)工艺是其中将电磁能施加到至少一种前驱物气体或前驱物蒸气以将前驱物转化为反应等离子体的化学工艺。等离子体可以在处理腔室内产生(例如，原位)，或在远离处理腔室定位的远程等离子体发生器中产生。此工艺广泛地用于在基板上沉积材料以生产高质量且高性能的半导体器件。

在当前半导体制造工业中，随着特征尺寸一直减小，晶体管结构已经变得越来越为复杂和有挑战性。为了满足处理需求，可使用先进处理控制技术来控制成本并最大化基板和管芯的良率。通常，基板边缘处的管芯都会遭遇良率问题，诸如触点和通孔的未对准以及对硬掩模的不良的选择性。在基板处理层面上，需要在工艺均匀性控制上取得进步以允许在整个基板上进行精细、局部工艺调谐以及全局处理调谐。

因此，需要允许在基板边缘处进行精细、局部工艺调谐的方法和设备。

发明内容

本文公开的实施方案总体涉及用于在基板边缘附近对等离子体进行调谐的设备和方法。在一个实现方式中，公开了一种用于在腔室中调谐等离子体的方法，并且所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。

在另一实现方式中，公开了一种用于在腔室中调谐等离子体的方法，并且所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率二者。

在又一实现方式中，公开了一种用于在腔室中调谐等离子体的方法，并且所述方法包括将第一阻抗、第一电压或所述第一阻抗和所述第一电压的组合施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二阻抗、第二电压或所述第二阻抗和所述第二电压的组合施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的的位置处的环形电极。所述环形电极周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一阻抗、所述第二阻抗、所述第一电压、所述第二电压或它们的组合的一个或多个参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一阻抗、所述第二阻抗、所述第一电压、所述第二电压或它们的组合中的一个或多个。

附图简述

为了可详细地理解本发明的上述特征结构所用方式，在上文简要概述的本发明的更具体的描述可参考实施方式来进行，实施方式中的一些示出在随附附图中。然而，应当注意，随附附图仅示出了本发明的典型实施方式，并且因此不应视为限制本发明的范围，因为本发明可允许其他等效实施方式。

图1描绘了根据一个或多个实施方式的处理腔室的剖视图。