[发明专利]导电结构的加工方法在审
| 申请号： | 201810427943.0 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108793064A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吕丽英;王绍全;钟晓辉;黎家健;吴健兴 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（新加坡）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 陈巍巍 |
| 地址： | 新加坡卡文迪*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电结构 硅基 第二表面 第一表面 加工 通孔 机械化生产 电性连接 干法蚀刻 加工效率 凹陷 贯穿 延伸 应用 | ||
1.一种导电结构的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度大于300μm，所述导电结构的加工方法包括如下步骤：
步骤S1：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；
步骤S2：从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；
步骤S4：在所述通孔内加工导电结构。
2.根据权利要求1所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S1包括如下步骤：
步骤S11：在所述硅基底的第一表面上形成图案，在不需要加工通孔的部位设置保护层；
步骤S12在未设置保护层的部位通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽。
3.根据权利要求2所述的导电结构的加工方法，其特征在于，步骤S1和步骤S2之间还包括步骤S13：在所述第一表面和所述第二表面通过氧化形成氧化层，所述氧化层延伸至所述凹槽内部形成阻挡层。
4.根据权利要求3所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S2和所述步骤S4之间还包括步骤S3，对通孔进行处理，去除所述通孔内的氧化层。
5.根据权利要求4所述的导电结构的加工方法，其特征在于，步骤S3为采用湿法氧化法去除通孔内的氧化层。
6.根据权利要求1所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
步骤S41：在通孔内沉积掺杂多晶硅；
步骤S42：在所述第一表面和所述第二表面加工第一铝导电层和第二铝导电层；
步骤S43：在所述第一铝导电层和/或所述第二铝导电层上加工图案以形成导电结构。
7.根据权利要求6所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S41包括：
步骤S411：对加工有通孔的硅基底沉积掺杂多晶硅；
步骤S412：除去第一表面和所述第二表面上沉积的掺杂多晶硅。
8.根据权利要求7所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S412为采用CMP混合指示剂除去掺杂多晶硅。
9.根据权利要求6所述的导电结构的加工方法，其特征在于，步骤S42还包括预处理所述硅基底的表面。
10.根据权利要求6所述的导电结构的加工方法，其特征在于，步骤S43包括：
步骤S431：在所述第一铝导电层和/或所述第二铝导电层上形成图案，在不需要加工通孔的部位设置保护层；
步骤S432：对所述第一铝导电层和/或所述第二铝导电层进行湿法蚀刻形成导电结构。
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