[发明专利]导电结构的加工方法

说明书

本发明提供了一种导电结构的加工方法，包括如下步骤：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；在所述通孔内加工导电结构。其可以应用在厚度大于300μm的硅基底上，突破了现有技术在可加工厚度上的限制，而且可以在硅基底的两侧均实现电性连接，方法简单，可靠性高，且加工效率高，便于机械化生产。

技术领域

本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种导电结构的加工方法。

背景技术

基于MEMS(Microelectromechanical Systems，微机电系统)技术的传感器在社会生产生活中具有广泛的应用，包括超声加工、超声定位、超声探测、超声成像等各方面。

MEMS传感器等在制备时为了实现电性连接，通常采用在硅基底的两侧设置铝制的导电端，进一步的，需要在硅基底上加工导电通孔，并在导电通孔内填充导电材料完成典型连接，现有的加工通孔的方法主要采用机械钻眼或湿法化学蚀刻，然而，机械钻眼不方便工业化生产，湿法化学蚀刻仅适用于厚度小于100μm的较薄的基底。

因此，实有必要提供一种新的导电结构的加工方法以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种导电结构的加工方法，其可以突破硅基底厚度的限制，便于机械化生产，能够有效提高生产效率。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种导电结构的加工方法，所述硅基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度大于300μm，所述导电结构的加工方法包括如下步骤：

步骤S1：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；

步骤S2：从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；

步骤S4：在所述通孔内加工导电结构。

优选的，所述步骤S1包括如下步骤：

步骤S11：在所述硅基底的第一表面上形成图案，在不需要加工通孔的部位设置保护层；

步骤S12在未设置保护层的部位通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽。

优选的，步骤S1和步骤S2之间还包括步骤S13：在所述第一表面和所述第二表面通过氧化形成氧化层，所述氧化层延伸至所述凹槽内部形成阻挡层。

优选的，所述步骤S2和所述步骤S4之间还包括步骤S3，对通孔进行处理，去除所述通孔内的氧化层。

优选的，步骤S3为采用湿法氧化法去除通孔内的氧化层。

优选的，所述步骤S4包括：

步骤S41：在通孔内沉积掺杂多晶硅；

步骤S42：在所述第一表面和所述第二表面加工第一铝导电层和第二铝导电层；

步骤S43：在所述第一铝导电层和/或所述第二铝导电层上加工图案以形成导电结构。

优选的，所述步骤S41包括：

步骤S411：对加工有通孔的硅基底沉积掺杂多晶硅；

步骤S412：除去第一表面和所述第二表面上沉积的掺杂多晶硅。

优选的，所述步骤S412为采用CMP混合指示剂除去掺杂多晶硅。

优选的，步骤S42还包括预处理所述硅基底的表面。

优选的，步骤S43包括：