[发明专利]一种高效能环保型酸性蚀刻液及其蚀刻方法

权利要求书

1.一种高效能环保型酸性蚀刻液，其特征在于，包括含有氢离子、氯离子、铜离子以及亚铜离子的蚀刻液基液、含有氯酸离子的酸性蚀刻液I以及含有氢离子的酸性蚀刻液II；所述的蚀刻液基液中的氢离子的含量为0.5g/L～1.5g/L，氯离子的含量为230g/L～260g/L，铜离子的含量为120g/L～150g/L，铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差为450～550毫伏；所述的酸性蚀刻液I中的氯酸离子的含量为80g/L～180g/L；所述的酸性蚀刻液II中的氢离子的含量为100g/L～200g/L。

2.根据权利要求1所述的高效能环保型酸性蚀刻液，其特征在于，所述的酸性蚀刻液I包括氯酸钠、氯化钠、尿素以及水。

3.根据权利要求2所述的高效能环保型酸性蚀刻液，其特征在于，所述的酸性蚀刻液I的各组份含量如下：

氯酸钠100g/L～200g/L；

氯化钠80g/L～170g/L；

尿素1g/L～10g/L；

水余量。

4.根据权利要求1所述的高效能环保型酸性蚀刻液，其特征在于，所述的酸性蚀刻液II包括盐酸，氯化铵、亚铁氰化钾、氯化钠以及水。

5.根据权利要求4所述的高效能环保型酸性蚀刻液，其特征在于，所述的酸性蚀刻液II的各组份含量如下：

盐酸100g/L～200g/L；

氯化铵50g/L～150g/L；

亚铁氰化钾0.5g/L～20g/L；

氯化钠10g/L～60g/L；

水余量。

6.一种高效能环保型酸性蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）向线路板蚀刻槽内添加权利要求1所述的蚀刻液基液，同时将蚀刻槽内的温度控制在45℃～55℃；其中，蚀刻槽中的氢离子的含量为0.5g/L～1.5g/L，氯离子的含量为230g/L～260g/L，铜离子的含量为120g/L～150g/L，铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差为450～550毫伏；

（2）将线路板放入蚀刻槽内进行蚀刻；

（3）对蚀刻槽内的蚀刻液基液的氢离子的含量和铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差进行检测；

（4）根据检测的蚀刻液的氢离子的含量和铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差的值向蚀刻槽内增加权利要求1所述的酸性蚀刻液I和/或酸性蚀刻液II，将蚀刻槽内的蚀刻液中的氢离子的含量控制在0.5g/L～1.5g/L，铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差控制在450～550毫伏；

（5）返回步骤（2），继续对线路板进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的高效能环保型酸性蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于：步骤（4）的具体步骤如下：

当检测蚀刻槽中的蚀刻液的氢离子的含量小于0.5g/L时，向蚀刻槽内添加酸性蚀刻液I，调整蚀刻槽内的蚀刻液中的氢离子含量，将蚀刻槽内的蚀刻液中的氢离子的含量控制在0.5g/L～1.5g/L，铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差控制在450～550毫伏。

8.根据权利要求6所述的高效能环保型酸性蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于：步骤（4）的具体步骤如下：

当检测蚀刻槽中的铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差低于450毫伏时，向蚀刻槽内添加酸性蚀刻液II，调整蚀刻槽内的蚀刻液中的铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差，将蚀刻槽内的蚀刻液中的氢离子的含量控制在0.5g/L～1.5g/L，铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差控制在450～550毫伏。

9.根据权利要求6所述的高效能环保型酸性蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于：步骤（4）的具体步骤如下：

当检测蚀刻槽中的蚀刻液的氢离子的含量小于0.5g/L，且铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差450毫伏时，向蚀刻槽内添加酸性蚀刻液I和酸性蚀刻液II，调整蚀刻槽内的蚀刻液中的氢离子含量和铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差，将蚀刻槽内的蚀刻液中的氢离子的含量控制在0.5g/L～1.5g/L，铜离子与亚铜离子的氧化还原电位差控制在450～550毫伏。