[发明专利]利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法在审
申请号: | 201810428332.8 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN110453193A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 林文宾;王孟菊 | 申请(专利权)人: | 亨泰光学股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/50 |
代理公司: | 11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨;马鑫<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隐形眼镜 基材表面 甲基丙烯酸聚乙二醇酯 乙烯基 吡咯酮 薄膜 电浆辅助化学气相沉积 亲水性 沉积 蛋白质沉淀 亲水性功能 表面改质 改质处理 镜片表面 气体状态 使用寿命 官能基 经验证 舒适度 电浆 交联 沾污 加热 制备 | ||
1.一种利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其特征在于,是按照下列步骤进行:
(A01)先通过电浆装置对隐形眼镜的基材表面进行电浆改质处理,以使基材表面形成具亲水性功能的官能基;
(A02)再将甲基丙烯酸聚乙二醇酯及﹝N-乙烯基-2-吡咯酮﹞分别加热至默认温度,以使甲基丙烯酸聚乙二醇酯及﹝N-乙烯基-2-吡咯酮﹞变成气体状态;
(A03)便可再利用电浆装置并以电浆辅助化学气相沉积法将气体状态的甲基丙烯酸聚乙二醇酯及﹝N-乙烯基-2-吡咯酮﹞沉积于已形成具有亲水性功能官能基的基材表面上,使基材表面形成薄膜,以制作出隐形眼镜。
2.如权利要求1所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中隐形眼镜的基材为聚甲基丙烯酸甲酯、氟硅丙烯酸酯、透气性半硬镜片、聚甲基丙烯酸羟乙酯、GMMA、硅水胶或其它制作隐形眼镜的材料。
3.如权利要求1所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中步骤(A01)中的电浆装置为具有供隐形眼镜的基材置入的腔体,且该腔体利用管体连通于容置瓶,再于容置瓶内收容有供进行电浆改质处理作业的氩气气体。
4.如权利要求1所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中步骤(A01)中的电浆装置为具有供隐形眼镜的基材置入的腔体,且电浆装置进行电浆改质处理时的电浆功率、电浆处理的时间、气体进入腔体的速度及腔体内的压力的参数设定值为分别介于70~80W、90~120s、5~10sccm及80~100mTorr之间。
5.如权利要求4所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中电浆装置进行电浆改质处理时的电浆功率、电浆处理的时间、气体进入腔体的速度及腔体内的压力的参数设定值较佳为80W、120s、10sccm及100mTorr。
6.如权利要求1所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中步骤(A02)中的甲基丙烯酸聚乙二醇酯的默认温度为60~80℃之间,而N-乙烯基-2-吡咯酮为40~60℃之间。
7.如权利要求1所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中步骤(A03)中电浆装置为具有供基材置入的腔体,且该腔体为分别利用复数管体连通于复数容置瓶,并于复数容置瓶内分别收容有气体的甲基丙烯酸聚乙二醇酯与N-乙烯基-2-吡咯酮,而该复数管体上设有供控制气体流通的气阀。
8.如权利要求7所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中电浆装置为先将腔体内的压力调整到默认值,并打开管体上的气阀,以使气体的甲基丙烯酸聚乙二醇酯流过管体而通入于腔体中,再打开另一气阀,使气体的N-乙烯基-2-吡咯酮流过管体而通入于腔体中,再开启电浆,并以预设电浆输出功率及预设沉积时间将甲基丙烯酸聚乙二醇酯及N-乙烯基-2-吡咯酮沉积于基材表面上,借此使基材表面沉积聚合出薄膜。
9.如权利要求8所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中气体的甲基丙烯酸聚乙二醇酯及N-乙烯基-2-吡咯酮通入于腔体内的速度为5~10sccm,且电浆装置的腔体先将压力调整到约真空状态,并打开管体上的气阀,以带动甲基丙烯酸聚乙二醇酯通入于腔体中,直至腔体内的压力提升到100~120mTorr时,静置5~10分钟使气体充满腔体后,再打开另一气阀,以带动N-乙烯基-2-吡咯酮通入于腔体内,而使腔体内的压力上升到200~240mTorr间,且同样静置5~10分钟使两种气体充分混合,再开启电浆。
10.如权利要求8所述的利用电浆辅助化学气相沉积法在隐形眼镜上制备薄膜的方法,其中电浆开启后为利用10~20W电浆输出功率及30~60分钟沉积时间将甲基丙烯酸聚乙二醇酯及N-乙烯基-2-吡咯酮沉积于基材表面上,而最佳沉积时间为60分钟。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的