[发明专利]一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台

权利要求书

1.一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其主要部件包括：蚀刻腔体，射频发生装置，电极与高压单元，氦气冷却系统，温度控制系统，磁场控制系统，气体装置，真空系统，传送系统，以及电源和控制柜；所述的蚀刻腔体包括上、下腔体，石英环、硅环组成，所述的上下反应腔体位于反应腔四周围，用来保护蚀刻侧壁；所述的电极为单电极系统，为金属材质制成；所述的金属材质的电极表面镀有一层氮化铝半导体材料；所述的磁场控制系统能够产生旋转变化的电场；所述的真空装置由两级真空系统组成；其特征在于所述的蚀刻腔体采用一种耐高温密封新材料;

所述一种耐高温密封新材料按照如下方法进行制备：

按照质量份数，40-60份的丁腈橡胶、35-65份的氟化磷腈橡胶、0.1-0.6份的三氟丙基聚二甲基硅氧烷/PEG-10 交联聚合物、0.1-0.6份的二[二(三甲基甲硅烷基)氨基]锡、0.01-0.08份的大豆油基乙基吗啉氮鎓乙基硫酸盐、5-10份的活性剂氧化镁和20-30份的白炭黑投入密炼机中，控制温度为110-130℃，进行混炼4-10min，接着升温至135-155℃，加入8-16份的三缩水甘油基三聚异氰酸酯、1-5份的硬脂酸亚锡、1.0-2.5份的2-硫醇基苯骈咪唑、3-8份阻燃剂四氯邻苯二甲酸酐、0.3-0.9份的聚氨丙基双胍硬脂酸盐 ，混炼3-8min，得到混合胶体；然后将混合胶体、75-85份的增强剂、0.5-1.5份的三乙撑四胺、1.6-3.5份的硫磺和0.5-1.0份的过氧化苯甲酰在双辊开炼机上混炼20-30min，混炼均匀后送入双螺杆挤出进行挤出造粒，然后在压力为4.0-6.0MPa，140-170℃下进行硫化5-10min即可得到一种耐高温密封新材料。

2.根据权利要求1所述的一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其特征在于：所述的射频发生装置工作功率范围为500-3000W。

3.根据权利要求1所述的一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其特征在于：所述的真空装置由干泵和分子泵组成。

4.根据权利要求1所述的一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其特征在于：所述增强剂按照如下方法进行制备：

按照质量份数，将30-60份的蛭石粉、20-30份的陶瓷粉、20-25份的重钙粉、1-5份的碳纳米管、15-25份的玻璃纤维、3-8份的碳化钼、18-26份的白石墨、8-12份的脲基丙基三乙氧基硅烷、5-10份的亚白刚玉段砂、10-20份的三羟基丙烷三油酸酯混合加入到研磨机将浆料研磨30-60min得到。