[发明专利]一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台

说明书

本发明具体涉及一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其主要部件包括：蚀刻腔体，射频发生装置，电极与高压单元，氦气冷却系统，温度控制系统，磁场控制系统，气体装置，真空系统，传送系统，以及电源和控制柜；所述的蚀刻腔体包括上、下腔体，石英环、硅环组成；一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台使用方便、操作简单、蚀刻的器件具有很好的均匀性；使用一种耐高温密封新材料，能有适应抗离子体的产生的高温，保持持久，高质量的真空环境。

技术领域

本发明属于设备技术领域；具体涉及一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台。

背景技术

在集成电路的制造领域，有一种说法叫做一代设备造就了一代集成电路工艺，可见设备在集成电路领域的重要地位，蚀刻就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。其相关设备制造技术受到了人们的关注。

CN201264965Y公开了一种蚀刻设备，用以蚀刻材料层。蚀刻设备包含多个喷雾装置以及多个刷洗装置。多个喷雾装置及刷洗装置设置于蚀刻设备中。当材料层在蚀刻设备中输送时，每一个喷雾装置用以喷出蚀刻液至材料层的表面上以对该表面进行蚀刻。多个刷洗装置用以对已喷覆有蚀刻液的该表面进行刷洗的操作，以使蚀刻液均匀地分布于该表面上。披露了一种偏光片的蚀刻设备，适用于蚀刻该偏光片的保护层。

CN1696346A公开一种湿蚀刻设备，其包括一基板承载室、一干传送区、一干燥室、一漂洗室及一蚀刻区，该基板承载室、干燥室、漂洗室及蚀刻区顺序呈直线排列，该湿蚀刻设备还包括一升降室及一干传送带，该干传送带位于该干燥室、漂洗室及蚀刻区的上方，且与基板承载室及升降室连接。

CN107303628A公开了一种激光蚀刻设备及使用激光蚀刻设备进行激光蚀刻的方法。所述激光蚀刻设备包括腔室、激光端口、激光发射器、颗粒捕捉器和旋转窗口模块。腔室被构造为容纳基底。激光端口在向下的方向上设置在腔室下面。激光发射器被构造为将激光通过激光端口发射到设置在腔室之内的基底。颗粒捕捉器设置在腔室之内并且包括设置在激光端口上方的主体。开口形成为穿过主体。开口被构造为使激光经由该开口穿过。旋转窗口模块包括旋转窗口和被构造为驱动旋转窗口的驱动部。旋转窗口设置在颗粒捕捉器与激光端口之间。

干法蚀刻系统的核心是等离子体，其内的高能电磁场区域能够将气体快速解离成高能离子、光子、电子和高化学活性的反应粒子。而等离子体必须在真空条件下才能产生。等离子体的产生的高温会使密封材料失去密封作用，影响使用效果。

发明内容

为了克服背景技术中存在的不足，本发明提供一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台。

本发明所用的技术方案为：

一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其主要部件包括：蚀刻腔体，射频发生装置，电极与高压单元，氦气冷却系统，温度控制系统，磁场控制系统，气体装置，真空系统，传送系统，以及电源和控制柜；所述的蚀刻腔体包括上、下腔体，石英环、硅环组成，所述的上下反应腔体位于反应腔四周围，用来保护蚀刻侧壁；所述的电极为单电极系统，为金属材质制成；所述的金属材质的电极表面镀有一层氮化铝半导体材料；所述的磁场控制系统能够产生旋转变化的电场；所述的真空装置由两级真空系统组成；其特征在于所述的蚀刻腔体采用一种耐高温密封新材料。

所述的射频发生装置工作功率范围为500-3000W。

所述的真空装置由干泵和分子泵组成。

所述一种耐高温密封新材料按照如下方法进行制备：