[发明专利]一种滤波器芯片封装结构和封装方法在审
申请号: | 201810431197.2 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN108389957A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 吕军;沙长青;赖芳奇;李永智 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/053;H01L41/23;H01L41/312 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215143 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波 晶圆 基板 封装 滤波器芯片 封装结构 金属焊盘 防焊层 电连接 焊锡球 金属层 叉指 芯片封装结构 产品良率 对位贴合 金属图案 贯穿 损伤 污染 保证 | ||
本发明公开了一种滤波器芯片封装结构和封装方法。该芯片封装结构包括对位贴合的滤波晶圆和基板;滤波晶圆上的滤波叉指处于由滤波晶圆、金属焊盘以及基板围成的空间中;基板上设有多个贯穿基板的第一凹槽,第一凹槽露出与其对应的滤波晶圆的金属焊盘;基板远离滤波晶圆一侧的表面上设有金属层,通过第一凹槽与金属焊盘电连接;金属层远离滤波晶圆一侧的表面上设有防焊层,防焊层上设置有贯穿防焊层的第二凹槽,第二凹槽内设置有焊锡球,焊锡球与金属图案电连接。本发明提供的滤波器芯片封装结构实现了滤波晶圆的有效封装,在封装前期能够将滤波晶圆上的滤波叉指区域进行保护,使其减少损伤和污染的几率,保证了封装的滤波晶圆的产品良率。
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种滤波器芯片封装结构和封装方法。
背景技术
晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Size Packaging,WLCSP)技术是对晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术,封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。晶圆级芯片尺寸封装技术彻底颠覆了传统封装,顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化的要求。
对于滤波器芯片的晶圆封装,通常采用将滤波晶圆通过金属焊盘与基板焊接,滤波晶圆进行切割分粒,形成单颗的滤波芯片后,再通过树脂保护框或者树脂板与基板闭合,从而将滤波芯片封装起来。其中,滤波芯片中的滤波叉指在封装步骤的最后一步才得以保护,即在封装过程中,滤波叉指会存在受到灰尘污染、损伤等的可能,进而影响封装后的滤波芯片的功能。
发明内容
本发明提供一种滤波器芯片封装结构和封装方法,以在封装的第一时间能够将滤波晶圆上的滤波叉指区域进行保护,使其减少损伤和污染的几率。
第一方面,本发明实施例提供了一种滤波器芯片封装结构,包括对位贴合的滤波晶圆和基板;
所述滤波晶圆上设置有多个金属焊盘和多个滤波叉指,所述多个金属焊盘和所述多个滤波叉指均位于所述滤波晶圆靠近所述基板的表面,所述滤波晶圆的所述金属焊盘与所述基板相抵持,所述滤波晶圆上的所述滤波叉指处于由所述滤波晶圆、所述金属焊盘以及所述基板围成的空间中;
所述基板上设有多个贯穿所述基板的第一凹槽,所述第一凹槽露出与其对应的所述滤波晶圆的所述金属焊盘;
所述基板远离所述滤波晶圆一侧的表面上设有金属层,所述金属层包括多个彼此绝缘的金属图案,所述金属图案通过所述第一凹槽与与其对应的所述滤波晶圆的所述金属焊盘电连接;
所述金属层远离所述滤波晶圆一侧的表面上设有防焊层,所述防焊层覆盖所述金属层和所述基板,所述防焊层上设置有贯穿所述防焊层的第二凹槽,所述第二凹槽露出所述金属图案;
所述第二凹槽内设置有焊锡球,所述焊锡球与所述金属图案电连接。
可选地,所述基板靠近所述滤波晶圆的表面上设置有多个凸起;
所述凸起与所述滤波晶圆的所述金属焊盘相抵持。
可选地,所述凸起与与其相抵持的所述金属焊盘的厚度之和大于所述滤波叉指的厚度。
可选地,所述基板为玻璃基板或硅基板。
可选地,还包括钝化层;
所述钝化层设置于所述基板与所述金属层之间;
所述第一凹槽贯穿所述基板和所述钝化层。
可选地,所述钝化层的材料为氮化硅。
第二方面,本发明实施例还提供了一种滤波器芯片封装方法,包括:
提供滤波晶圆和基板,所述滤波晶圆上设置有多个金属焊盘和多个滤波叉指;
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