[发明专利]一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法

权利要求书

1.一种低损耗非晶、纳米晶磁片，其特征在于：在频率为 100KHz时，其磁导率实部大于1000，磁导率虚部小于200。

2.如权利要求1所述一种低损耗非晶、纳米晶磁片的制备方法，其特征在于包含如下步骤：

1）脆化：将非晶、纳米晶带材在600摄氏度以下进行一段或多段温度保温处理；

2）贴合：采用胶粘方式将脆化后的非晶、纳米晶带材与高分子基材膜贴合；

3）碎化：将贴合后的非晶、纳米晶带材辊压破碎，形成平均面积为0.25~4mm²尺寸的碎片；

4）钝化：将钝化液均匀喷涂到经碎化后的非晶、纳米晶带材表面，喷涂厚度为1～20μm；

5）烘干：将喷涂钝化液的非晶、纳米晶带材通过烘箱烘干，温度为40～70度；

6）模切：将上述烘干后的非晶、纳米晶带材经模切后，即获得低损耗非晶、纳米晶磁片。

3.根据权利要求2所述的一种低损耗非晶、纳米晶磁片的制备方法，其特征在于所述的钝化液为氧化性液体与低表面张力低粘度溶剂混合，其中氧化性液体体积分数为10～70%。

4.根据权利要求3所述的一种低损耗非晶、纳米晶磁片的制备方法，其特征在于所述的氧化性液体为纯硝酸。

5.根据权利要求3所述的一种低损耗非晶、纳米晶磁片的制备方法，其特征在于所述的低表面张力低粘度溶剂在室温下的黏度小于1.2mPa·s，表面张力小于25mN/m。

6.根据权利要求3或5所述的一种低损耗非晶、纳米晶磁片的制备方法，其特征在于所述的低表面张力低粘度溶剂为乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮中的一种或几种。

7.根据权利要求2所述的一种低损耗非晶、纳米晶磁片的制备方法，其特征在于所述的喷涂采用超声喷雾方法或者高压喷雾方法。