[发明专利]一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法，在频率为100KHz时，其磁导率实部大于1000，磁导率虚部小于200，主要工艺步骤包含脆化、贴合、碎化、钝化、烘干和模切。本发明的优点是利用钝化工艺，可以在非晶、纳米晶碎片的表面生成高电阻率层，避免碎片之间互相接触，大大降低磁片的涡流损耗，提高无线充电的效率和安全性。

技术领域

本发明涉及一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法，属于电子元器件新材料新工艺领域。

背景技术

随着消费电子产业的快速发展，电子产品更新换代逐渐加快，功能越来越强大，同时耗电量也越来越大。在机载储能电池的容量无法明显提升的情况下，传统的有线充电方式的弊端逐渐显露出来，例如容易损坏，携带不便，有触电危险等。另外，每一个电子产品都具有不同规格的有线充电器，对用户造成了相当大的不便，并且还会造成资源浪费和环境污染。

无线充电相比传统充电方式具有更省电，更智能且电满自动断电的功能，并能识别不同设备对能量的要求。因此，无线充电具有广阔的发展前景。无线充电时，需要在发射端线圈和接收端线圈上加入非晶或者纳米晶材料作为隔磁片，可以提高线圈之间的耦合系数，进而提高传输效率，并且可以屏蔽线圈干扰，屏蔽充电磁场对终端设备的干扰，提高无线充电设备的整体性能。

目前主流的无线充电用非晶、纳米晶隔磁片为破碎、多层结构，现有技术中采用机械破碎、碎片间填胶的方法来降低非晶、纳米晶隔磁片的涡流损耗，提高效率。但是由于非晶、纳米晶的硬度很高，经过破碎后往往会形成很多的尖角，这些尖角在后续覆膜的时候会刺破起绝缘作用的胶质层，从而使得碎片间互相连通，涡流损耗增大。同时采用填胶工艺，会使碎片间距增大，材料整体磁导率和饱和磁通都下降，降低了无线充电的效率。

现有技术中，还有采用腐蚀性液体如磷酸等对非晶、纳米晶表面进行腐蚀，来提高电阻率，但是由于这些腐蚀液表面张力的原因，仅仅会对碎片表面腐蚀，形成绝缘层，而碎片断面间的空隙由于毛细管力的作用，腐蚀性液体是无法渗透进去的。因此在平面方向上，碎片之间依然是呈现金属接触的，电阻率很低。

发明内容

本发明的目的是针对上述现有非晶、纳米晶隔磁片存在的损耗过大的问题，提供一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法，根据本发明提供技术方案制备的低损耗非晶、纳米晶磁片在频率为 100KHz时，其磁导率实部大于1000，磁导率虚部小于200。

为了达到上述目的，本发明是通过如下步骤来实现的。

1）脆化：将非晶、纳米晶带材在600摄氏度以下进行一段或多段温度保温处理（纳米晶在300～400度，500～600度，分别进行两次保温处理，非晶在300～400度保温处理）。

2）贴合：采用胶粘方式将脆化后的非晶、纳米晶带材与高分子基材膜贴合。

3）碎化：将贴合后的非晶、纳米晶带材辊压破碎，形成平均面积为0.25-4mm²尺寸的碎片。

4）钝化：将钝化液均匀喷涂到经碎化后的非晶、纳米晶带材表面，喷涂厚度为1～20μm。

5）烘干：将喷涂钝化液的非晶、纳米晶带材通过烘箱烘干，温度为40～70度。

6）模切：将上述烘干后的非晶、纳米晶带材经模切后，即获得低磁损耗非晶、纳米晶磁片。

所述的钝化液为氧化性液体与低表面张力低粘度溶剂混合，其中氧化性液体体积分数为10～70%。

所述的氧化性液体为硝酸。

所述的低表面张力低粘度溶剂在室温下的黏度小于1.2mPa·s，表面张力小于25mN/m。

进一步地，所述的低表面张力低粘度溶剂为乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮中的一种或几种。