[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
申请号: | 201810434472.6 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN108649044A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 黄增智;龙海凤;李天慧;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 田菁 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 钉扎光电二极管 导电类型 第二区域 第一区域 半导体材料层 第一导电类型 凹凸不平 电荷容量 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括钉扎光电二极管,所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域,其中,所述第一区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二区域包括具有第一厚度的多个第一部分和具有第二厚度的一个或多个第二部分,所述第一厚度不等于所述第二厚度,其中,在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中,所述第一部分和所述第二部分间隔排列。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二区域包括具有第一厚度的一个或多个第一部分和具有第二厚度的第二部分,所述第一厚度不等于所述第二厚度,其中,在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中,所述第二部分围绕所述第一部分。
4.根据权利要求2或3所述的图像传感器,其特征在于,所述第一厚度和所述第二厚度中较小的一个的范围为较大的一个的范围为
5.根据权利要求2或3所述的图像传感器,其特征在于,所述第一部分和所述第二部分的掺杂浓度相同。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二区域的掺杂浓度高于所述第一区域的掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,所述第二区域的掺杂浓度的范围为1×1017cm-3~1×1020cm-3。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括形成在所述半导体材料层中的浮置扩散区,其中,所述浮置扩散区和所述半导体材料层的接触表面为凹凸不平的表面。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述浮置扩散区包括具有第三厚度的多个第三部分和具有第四厚度的一个或多个第四部分,所述第三厚度不等于所述第四厚度,其中,在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中,所述第三部分和所述第四部分间隔排列。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述浮置扩散区包括具有第三厚度的一个或多个第三部分和具有第四厚度的第四部分,所述第三厚度不等于所述第四厚度,其中,在与所述图像传感器的主表面平行的平面图中,所述第三部分围绕所述第四部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的