[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括钉扎光电二极管，所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能提高钉扎光电二极管的电荷容量。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。

背景技术

图像传感器广泛应用于各种成像。随着人们对成像精度的要求不断提高，图像传感器的像素尺寸不断减小，伴随而来的是光收集能力和电荷存储能力的下降。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新的图像传感器及形成图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括钉扎光电二极管，所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。

根据本公开的第二方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在第二导电类型的半导体材料层中，形成第一导电类型的第一区域；以及在所述半导体材料层中、在所述第一区域之上，形成第二导电类型的第二区域，从而形成钉扎光电二极管，其中，所述第一区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图3是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图4是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图5是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图6是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图7A至7F是分别示意性地示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图8A至8E是分别示意性地示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图9A至9G是分别示意性地示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式