[发明专利]一种表面包覆的氧化镁坩埚的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810435536.4 申请日: 2018-05-09
公开(公告)号: CN108546091A 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 董波 申请(专利权)人: 肃北镁弘科技有限公司
主分类号: C04B35/043 分类号: C04B35/043;C04B35/66;C04B35/622;C04B41/87
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 周蕾
地址: 736300 甘肃省*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 氧化镁坩埚 烧结 表面包覆 铝溶胶 热处理 浸渍法 烧结炉 包覆 制备 延长使用寿命 转入 抽真空排气 等静压成型 电熔氧化镁 表面形成 干燥处理 高纯净度 耐侵蚀性 有效减少 保护层 结合剂 坯体 完气 坩埚 配方
【说明书】:

发明公开了一种表面包覆的氧化镁坩埚的制备方法,包含以下步骤:(1)选取具有一定颗粒级配方的电熔氧化镁为原料,加入结合剂并混合均匀后,采用等静压成型,坯体经干燥后,转入烧结炉中进行热处理烧结,烧结完成后即可得到氧化镁坩埚;(2)采用浸渍法对氧化镁坩埚进行铝溶胶包覆,包覆完成进行干燥处理后,转入烧结炉中抽真空排气,排完气后进行热处理烧结,烧结完成后即可得到表面包覆的氧化镁坩埚。本发明在烧结得到氧化镁坩埚后,采用浸渍法在其表面包覆一层铝溶胶后进行再次烧结,使铝溶胶在氧化镁坩埚表面形成一层牢固的保护层,具有高纯净度、高强度和极强的耐侵蚀性,有效减少坩埚在使用中的损耗,延长使用寿命。

技术领域

本发明涉及坩埚制备技术领域,具体是一种表面包覆的氧化镁坩埚的制备方法。

背景技术

贵金属的熔炼过程中不可或缺的是坩埚作载体,在贵金属熔炼过程中要求坩埚既能满足熔炼的使用要求,又能防止在熔炼过程中坩埚中的元素对贵金属的污染。现有成型的坩埚材料中含有少量杂质,影响合金性能。坩埚长期使用后,会产生微小裂纹,无法进行修复,使用寿命较短,只能频繁更换,导致熔炼成本高,生产效率低。

氧化镁陶瓷具有高熔点、低密度、优良的抗碱金属腐蚀的特性。纯氧化镁的熔点为2800℃,远高于贵金属熔炼的使用温度,且选用电熔镁砂为原料,在制备过程中去除铁、碳、硫、磷等污染贵金属杂质。同时应用表面包覆铝溶胶技术对氧化镁坩埚进行处理,进而得到一种高纯净度、高强度、高耐侵蚀性,可以在超高温条件下使用的坩埚。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种高纯净度、高强度、高耐侵蚀性,并且可以在超高温条件下使用的表面包覆的氧化镁坩埚的制备方法。

为解决上述问题,本发明所述的一种表面包覆的氧化镁坩埚的制备方法,包含以下步骤:

(1)选取具有一定颗粒级配方的电熔氧化镁为原料,加入结合剂并混合均匀后,采用等静压成型,坯体经干燥后,转入烧结炉中进行热处理烧结,烧结完成后即可得到氧化镁坩埚;

(2)采用浸渍法对所述氧化镁坩埚进行铝溶胶包覆,包覆完成进行干燥处理后,转入所述烧结炉中抽真空排气,排完气后进行热处理烧结,烧结完成后即可得到表面包覆的氧化镁坩埚。

进一步,所述电熔氧化镁的颗粒级配方为:粒度为2—1 mm的电熔氧化镁20—40%,粒度为1—0.5mm的电熔氧化镁10—40%,粒度不超过0.5mm的电熔氧化镁20—70%。

进一步,所述结合剂为羧甲基纤维素钠(CMC)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、硅酸钠和硫酸镁中的至少一种。

进一步,所述结合剂的重量百分含量为4—5%。

进一步,所述等静压成型的条件为:在180—240MPa的压力下持续保压10—20min。

进一步,所述坯体的干燥及热处理烧结条件为:在110℃下持续干燥12小时,在1750—1800℃下进行热处理烧结2小时。

进一步,所述包覆后的氧化镁坩埚的干燥及热处理烧结条件为:在110℃下持续干燥12小时,在1400—1600℃下进行热处理烧结2小时。

进一步,所述烧结炉为箱式炉、管式炉、马弗炉、气氛炉、井式炉、程控炉等高温炉中的任意一种。

本发明与现有技术相比具有以下优点:

(1)本发明在烧结得到氧化镁坩埚后,采用浸渍法在其表面包覆一层铝溶胶后进行再次烧结,使铝溶胶在氧化镁坩埚表面形成一层牢固的保护层,能够有效保护坩埚本体,减少坩埚在使用中的损耗,延长使用寿命。

(2)采用本发明所述方法制备出的氧化镁坩埚具有高纯净度、高强度,其MgO含量达到了99.93%以上,抗压强度均达到1800MPa以上,抗弯强度达到了650MPa以上,最高使用温度超过了2200℃。

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