[发明专利]制造晶圆级封装的MEMS组件的方法和MEMS组件

权利要求书

1.一种制造方法，具有以下步骤：

提供(110)半导体衬底(300)，所述半导体衬底在所述半导体衬底(300)的第一主表面区域(300-1)上具有布线层堆叠(304)，所述布线层堆叠具有凹槽(302)，其中在所述半导体衬底(300)的所述第一主表面区域(300-1)处，MEMS器件(306)裸露地布置在所述布线层堆叠(304)的所述凹槽(302)中，并且其中在所述布线层堆叠(304)的金属化区域(308)处布置有垂直突出的过孔元件(310)，

将在中间阶段中固化的b阶材料层(312)施加(130)到所述布线层堆叠(304)上，从而使在所述布线层堆叠(304)中的所述凹槽(302)被所述b阶材料层(312)覆盖，并且还使所述过孔元件(310)加入到所述b阶材料层(312)中，

固化(150)所述b阶材料层(312)，以获得经固化的b阶材料层(312)，

使经固化的所述b阶材料层(312)薄化(170)，以裸露所述过孔元件(310)的端表面区域(310-1)，并且

将RDL结构(RDL＝再分布层)施加(190)到经薄化和固化的所述b阶材料层(312)上，以便经由所述过孔元件(310)获得在所述布线层堆叠(304)与所述RDL结构(314)之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中在施加所述b阶材料层的步骤中，制造与所述布线层堆叠的第一表面区域的材料接合的连接，并且另外利用所述过孔元件来制造所述b阶材料层的形状配合的连接。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，还包括以下步骤：

在施加RDL结构的步骤之后，将焊料球施加(195)到所述RDL结构的金属化区域处。

4.根据权利要求3所述的制造方法，还包括以下步骤：

将经封装的MEMS组件分开(200)，以获得经分开和封装的MEMS组件或倒装芯片MEMS组件。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中在所述提供的步骤中，所述布线层堆叠还具有间隔层，其中所述间隔层在所述布线层堆叠处被布置成使得在所述布线层堆叠中的所述凹槽和在所述布线层堆叠中的所述金属化区域没有所述间隔层。

6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中所述过孔元件具有30μm至80μm的垂直高度“h”，并且其中所述b阶材料层(312)具有在50μm和120μm之间的厚度“d”，其中“d≥h”。

7.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中随着中间阶段而固化的所述b阶材料层具有部分交联的环氧材料，并且其中经固化的所述b阶材料层具有完全交联的环氧材料。

8.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中在所述施加的步骤中被施加的所述b阶材料层具有形状稳定性，使得在施加所述b阶材料层(312)时，在所述MEMS器件上方的腔保持在所述布线层堆叠的所述凹槽中。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中随着中间阶段而固化的所述b阶材料层布置在转移晶圆处，其中在施加随着中间阶段而固化的所述b阶材料层的步骤中，将具有随着中间阶段而固化的b阶材料层的所述转移晶圆施加到具有所述布线层堆叠的半导体衬底上，使得随着中间阶段而固化的所述b阶材料层覆盖在所述布线层堆叠中的所述凹槽，并且在所述布线层堆叠处的所述垂直突出的过孔被加入到随着中间阶段而固化的所述b阶材料层中。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中在所述固化的步骤中，位于所述转移晶圆处的随着中间阶段而固化的所述b阶材料层被完全固化，并且其中在所述薄化的步骤中，所述转移晶圆首先被移除，然后使经固化的所述b阶材料层薄化，以便裸露所述过孔元件的所述端表面区域。