[发明专利]制造晶圆级封装的MEMS组件的方法和MEMS组件

说明书

一种制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的第一主表面区域上具有带有凹槽的布线层堆叠，其中在半导体衬底的第一主表面区域处，MEMS器件裸露地布置在布线层堆叠的凹槽中，并且其中在布线层堆叠的金属化区域处布置有突出的过孔元件；将在中间阶段中固化的b阶材料层施加到在布线层堆叠上，从而使在布线层堆叠中的凹槽被由b阶材料层覆盖，并且还使该垂直突出的过孔元件被加入到b阶材料层中；固化b阶材料层，以获得经固化的b阶材料层；使经固化的b阶材料层薄化，以裸露过孔元件的端表面区域；并且将RDL结构(RDL＝再分布层)施加到经薄化和固化的b阶材料层上，以便经由过孔元件获得布线层堆叠与RDL结构之间的电连接。

技术领域

本公开总体上涉及制造晶圆级封装的MEMS组件的方法和经封装的MEMS组件，并且尤其涉及在MEMS应用中将RDL结构使用在具有空腔的功能晶圆中。

背景技术

在许多应用中，容纳在壳体中的半导体芯片，例如，在倒装芯片应用、TSV应用(TSV＝硅过孔)、WLB壳体(WLB＝晶圆级球栅阵列)或在特殊的壳体中，如例如，eWLB壳体(eWLB＝嵌入式晶圆级球栅阵列)中，通常需要执行重新分配芯片连接引脚的基本连接结构。这通常是通过所谓的“RDL层”(RDL＝再分布层)执行的。根据定义，RDL层以晶圆级被施加到半导体衬底上，即施加到已处理的半导体晶圆的BeOL堆叠(堆叠的后段制程)上。

因此，再分布层是壳体(封装)内的特殊的层平面，壳体将集成电路的I/O联接面(输入/输出-焊盘)连接至壳体的键合焊盘，即集成电路的I/O焊盘在其他部位或位置被提供，从而简化芯片到芯片的连接(芯片到芯片的键合)。

发明内容

因此，存在对用于制造具有晶圆级RDL层的经封装的MEMS组件的方法的需要和对相应的经封装的MEMS组件的需要。

特别地，存在对相对容易实现的制造工艺的需要，通过该制造工艺能够实现将RDL结构施加到半导体晶圆上，敏感的MEMS结构，例如压力传感器的膜或电容声音转换器的膜布置在该半导体晶圆上。

实施例提供了一种制造方法(100；100A；100B)，具有以下步骤：提供(110)半导体衬底(300)，该半导体衬底在该半导体衬底(300)的第一主表面区域(300-1)上具有布线层堆叠(304)，布线层堆叠具有凹槽(302)，其中在半导体衬底(300)的第一主表面区域(300-1)处，MEMS器件(306)裸露地布置在布线层堆叠(304)的凹槽(302)中，并且其中在布线层堆叠(304)的金属化区域(308)处布置有突出的过孔元件(310)；将在中间阶段中固化的b阶材料层(312)施加(130)到布线层堆叠(304)上，从而使在布线层堆叠(304)中的凹槽(302)被b阶材料层(312)覆盖，并且还使该垂直突出的过孔元件(310)加入到b阶材料层(312)中；固化(150)b阶材料层(312)，以获得经固化的b阶材料层(312)；使经固化的b阶材料层(312)变薄(170)，以裸露过孔元件(310)的端表面区域(310-1)；并且将RDL结构(RDL＝再分布层)施加(190)到经薄化和固化的b阶材料层(312)上，以便经由过孔元件(310)获得在布线层堆叠(304)与RDL结构(314)之间的电连接。