[发明专利]集成电路封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在载体上方形成第一再分布层，所述第一再分布层包括接触焊盘和接合焊盘；

在所述接触焊盘上方形成导电柱；

使用焊料接头将集成电路管芯的背面附接至所述接合焊盘；

沿着所述导电柱的侧壁和所述集成电路管芯的侧壁形成密封剂，所述集成电路管芯的正面与所述密封剂的最顶面和所述导电柱的最顶面齐平；以及

在所述集成电路管芯的正面、所述密封剂的最顶面和所述导电柱的最顶面上方形成第二再分布层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述焊料接头将所述集成电路管芯的背面附接至所述接合焊盘包括：

在所述集成电路管芯的背面上施加焊膏；

将所述集成电路管芯放置在所述接合焊盘上方，所述焊膏与所述接合焊盘物理接触；以及

回流所述焊膏以形成所述焊料接头。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述载体上方形成所述第一再分布层包括：

在所述载体上方形成晶种层；

在所述晶种层上方形成第一图案化掩模，所述第一图案化掩模具有第一开口和第二开口；

在所述第一开口和所述第二开口中沉积第一导电材料以在所述第一开口中形成第一导电部件并且在所述第二开口中形成第二导电部件；

去除所述第一图案化掩模；以及

去除所述晶种层的暴露部分，所述第一导电部件和所述晶种层的位于所述第一导电部件下方的第一部分形成所述接触焊盘，所述第二导电部件和所述晶种层的位于所述第二导电部件下方的第二部分形成所述接合焊盘。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述接触焊盘上方形成所述导电柱包括：

在所述晶种层、所述第一导电部件和所述第二导电部件上方形成第二图案化掩模，所述第二图案化掩模具有第三开口，所述第三开口暴露所述第一导电部件的部分，所述第二图案化掩模覆盖所述第二导电部件；

在所述第三开口中沉积第二导电材料以形成所述导电柱；以及

去除所述第二图案化掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电柱将所述第一再分布层的所述接触焊盘电连接至所述第二再分布层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合焊盘的宽度大于所述接触焊盘的宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触焊盘和所述接合焊盘彼此电隔离。

8.一种形成半导体结构的方法，包括：

在载体上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方形成晶种层；

在所述晶种层上方形成第一图案化掩模，所述第一图案化掩模具有第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口暴露所述晶种层；

在所述第一开口和所述第二开口中沉积第一导电材料以在所述第一开口中形成第一导电部件并且在所述第二开口中形成第二导电部件；

去除所述第一图案化掩模；

在所述晶种层、所述第一导电部件和所述第二导电部件上方形成第二图案化掩模，所述第二图案化掩模具有第三开口，所述第三开口暴露所述第一导电部件；

在所述第三开口中沉积第二导电材料以在所述第三开口中形成导电柱；

去除所述第二图案化掩模；

去除所述晶种层的暴露部分；以及

使用焊料接头将集成电路管芯的背面附接至所述第二导电部件。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括沿着所述导电柱的侧壁和所述集成电路管芯的侧壁形成密封剂，所述集成电路管芯的正面与所述密封剂的最顶面和所述导电柱的最顶面齐平。

10.一种半导体结构，包括：

集成电路管芯，所述集成电路管芯具有前侧和与所述前侧相对的背侧，所述集成电路管芯具有位于所述前侧上的多个接触部件；

密封剂，沿着所述集成电路管芯的侧壁延伸；

第一再分布层，位于所述集成电路管芯的背侧上，所述第一再分布层包括接触焊盘和接合焊盘；

焊料接头，插接在所述集成电路管芯的背侧和所述接合焊盘之间；

第二再分布层，位于所述集成电路管芯的前侧上；以及

导电通孔，位于所述密封剂内，所述导电通孔从所述第一再分布层延伸至所述第二再分布层。