[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板(10)、设于所述基板(10)上的第一金属层(20)、覆盖所述第一金属层(20)及基板(10)的第一绝缘层(30)、设于所述第一绝缘层(30)上的第二金属层(40)、覆盖所述第一绝缘层(30)及第二金属层(40)的钝化层(50)以及设于所述钝化层(50)上的像素电极(60)；

所述第一金属层(20)包括第一电极板(21)，所述第二金属层(40)包括与所述第一电极板(21)相对设置的第二电极板(41)以及与所述第二电极板(41)电性连接的阵列基板公共电极线(42)，所述像素电极(60)的一部分位于所述第二电极板(41)的上方，所述像素电极(60)通过贯穿所述钝化层(50)和第一绝缘层(30)的第一过孔(61)与所述第一电极板(21)电性连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(20)还包括与所述第一电极板(21)间隔的栅极(22)及与所述栅极(22)电性连接的栅极线(23)，所述第二金属层(40)还包括：与所述第二电极板(41)及阵列基板公共电极线(42)间隔的源极(43)、与所述源极(43)电性连接的源极线(44)以及与所述第二电极板(41)、阵列基板公共电极线(42)、源极(43)及源极线(44)均间隔的漏极(45)，所述像素电极(60)还通过贯穿所述钝化层(50)的第二过孔(62)与所述漏极(45)电性连接。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于在所述栅极(22)上的第一绝缘层(30)上的有源层(70)，所述源极(43)和漏极(45)分别与所述有源层(70)的两端接触。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板(21)的面积大于所述第二电极板(41)的面积。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(20)和第二金属层(40)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种的组合，所述第一绝缘层(30)及钝化层(50)的材料均为氧化硅及氮化硅中的一种或二者的组合，所述像素电极(60)的材料为氧化铟锡。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成金属薄膜并通过第一道光罩制程形成第一金属层(20)，所述第一金属层(20)包括：第一电极板(21)；

步骤S2、在所述第一金属层(20)和基板(10)上覆盖第一绝缘层(30)；

步骤S3、在所述第一绝缘层(30)上形成金属薄膜并通过第二道光罩制程形成第二金属层(40)；所述第二金属层(40)包括：与所述第一电极板(21)相对设置的第二电极板(41)以及与所述第二电极板(41)电性连接的阵列基板公共电极线(42)；

步骤S4、在所述第二金属层(40)和第一绝缘层(30)上覆盖钝化层(50)，通过第三道光罩制程形成第一过孔(61)，所述第一过孔(61)贯穿所述钝化层(50)和第一绝缘层(30)并暴露出所述第一电极板(21)的一部分；

步骤S5、在所述钝化层(50)上通过第四道光罩制程形成像素电极(60)，所述像素电极(60)的一部分位于所述第二电极板(41)的上方，并且所述像素电极(60)通过第一过孔(61)与所述第一电极板(21)电性连接。