[发明专利]阵列基板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810439842.5 申请日: 2018-05-09
公开(公告)号: CN108761937A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 席运泽 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;王中华
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电极板 绝缘层 像素电极 阵列基板 第二金属层 第一金属层 钝化层 基板 电极板电 公共电极线 存储电容 夹层电容 相对设置 开口率 减小 覆盖 制作 贯穿
【说明书】:

发明提供一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括:基板、设于所述基板上的第一金属层、覆盖所述第一金属层及基板的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二金属层、覆盖所述第一绝缘层及第二金属层的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极;所述第一金属层包括第一电极板,所述第二金属层包括与所述第一电极板相对设置的第二电极板以及与所述第二电极板电性连接的阵列基板公共电极线,所述像素电极的一部分位于所述第二电极板的上方,所述像素电极通过贯穿所述钝化层和第一绝缘层的第一过孔与所述第一电极板电性连接,通过所述第一电极板、第二电极板及像素电极共同组成一夹层电容,能够减小相同大小的存储电容的面积,提升开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法

背景技术

随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT,ThinFilm Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。

存储电容在薄膜晶体管阵列基板中扮演着保持电位,降低耦合电容分压等重要作用,现有技术中,阵列基板上的的存储电容一般包括第一电极板、第二电极板以及位于第一电极板和第二电极板之间的绝缘层,其中第一电极板与薄膜晶体管的栅极位于第一金属层,第二电极板与薄膜晶体管的源极和漏极位于第二金属层,一般而言,为了满足液晶显示面板的电容要求,我们希望增大存储电容,目前来说,增大存储电容的方法通常包括:选用介电常数较大的绝缘材料、增大电极板的面积以及降低绝缘层厚度。其中,最常用就是增大电极板的面积,但是由于存储电容一般以金属夹置绝缘层制成,金属电极是不透光的,存储电容越大,液晶显示面板的开口率就越低,不利于提升显示面板的显示品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板,能够减小存储电容的面积,提升开口率。

本发明的目的还在于提供一种阵列基板的制作方法,能够减小存储电容的面积,提升开口率。

为实现上述目的,本发明提供了一种阵列基板,包括:基板、设于所述基板上的第一金属层、覆盖所述第一金属层及基板的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二金属层、覆盖所述第一绝缘层及第二金属层的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极;

所述第一金属层包括第一电极板,所述第二金属层包括与所述第一电极板相对设置的第二电极板以及与所述第二电极板电性连接的阵列基板公共电极线,所述像素电极的一部分位于所述第二电极板的上方,所述像素电极通过贯穿所述钝化层和第一绝缘层的第一过孔与所述第一电极板电性连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810439842.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top