[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：

所述半导体集成电路装置包括在第一导电型区域中具有沿第一方向延伸的第一鳍片且在第二导电型区域中具有沿所述第一方向延伸的第二鳍片的标准单元，

所述标准单元包括：

第一有源晶体管，其由所述第一鳍片和栅极布线构成，所述栅极布线沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸且被设置在所述第一鳍片以及所述第二鳍片上；

第二有源晶体管，其由所述第二鳍片和所述栅极布线构成；

虚拟晶体管，其由所述第一鳍片和虚拟栅极布线构成，所述虚拟栅极布线与所述栅极布线并列地设置在所述第一鳍片上，所述虚拟晶体管与所述第一有源晶体管共用源极和漏极这两节点中的一节点；以及

第三有源晶体管，其由所述第二鳍片和第二栅极布线构成，所述第二栅极布线与所述栅极布线并列且相对于所述栅极布线而在与所述虚拟栅极布线相同的一侧，所述第二栅极布线设置在所述第二鳍片上，所述第三有源晶体管与所述第二有源晶体管共用源极和漏极这两节点中的一节点。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述标准单元包括第四晶体管，该第四晶体管由所述第一鳍片和第三栅极布线构成，所述第三栅极布线以与所述栅极布线并列且位于与所述虚拟栅极布线相反一侧的位置上的方式设置在所述第一鳍片上，所述第四晶体管与所述第一有源晶体管共用源极和漏极这两节点中的另一节点。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第四晶体管为第四有源晶体管。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第三栅极布线在所述第二鳍片上延伸，

所述标准单元包括：

第五有源晶体管，由所述第二鳍片和所述第三栅极布线构成。

5.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第四晶体管是第二虚拟晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一有源晶体管与所述虚拟晶体管共用的节点为被供给电源电位的源极。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述电源电位是接地电位。

8.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述虚拟晶体管的源极、漏极以及栅极都连接到电源布线上。

9.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一有源晶体管与所述虚拟晶体管共用的节点是漏极，所述虚拟晶体管的源极和栅极连接到电源布线上。

10.一种半导体集成电路装置，其特征在于：

所述半导体集成电路装置包括在第一导电型区域中具有沿第一方向延伸的第一鳍片以及第二鳍片、在第二导电型区域中具有沿所述第一方向延伸的第三鳍片以及第四鳍片的标准单元，

所述标准单元包括：

第一有源晶体管，其由所述第一鳍片、所述第二鳍片和栅极布线构成，所述栅极布线沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸且被设置在所述第一鳍片、所述第二鳍片、所述第三鳍片以及所述第四鳍片上；

第二有源晶体管，其由所述第三鳍片、所述第四鳍片和所述栅极布线构成；

虚拟晶体管，其由所述第一鳍片、所述第二鳍片和虚拟栅极布线构成，所述虚拟栅极布线与所述栅极布线并列地设置在所述第一鳍片以及所述第二鳍片上，所述虚拟晶体管与所述有源晶体管共用源极和漏极这两节点中的一节点；以及

第三有源晶体管，其由所述第三鳍片、所述第四鳍片和第二栅极布线构成，所述第二栅极布线与所述栅极布线并列且相对于所述栅极布线而在与虚拟栅极布线相同的一侧，所述第二栅极布线设置在所述第三鳍片以及所述第四鳍片上，所述第三有源晶体管与所述第二有源晶体管共用源极和漏极这两节点中的一节点。