[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法，所述方法包括：

形成层叠结构，所述层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；

在层叠结构上形成覆盖层，所述覆盖层包括杂质；

在层叠结构之间形成间隙填充层；以及

通过用紫外光照射所述覆盖层和所述间隙填充层来去除所述覆盖层中的杂质以及使所述间隙填充层致密化，

其中，形成层叠结构包括：

形成初始层叠结构，所述初始层叠结构包括可变电阻层；

通过部分地刻蚀初始层叠结构形成第一图案；

在第一图案上形成第一覆盖层；

通过部分地刻蚀初始层叠结构而在第一图案下方形成第二图案；以及

在第二图案和第一覆盖层上形成第二覆盖层，以及

其中，用紫外光照射覆盖层和间隙填充层包括：在形成第一覆盖层和第二覆盖层以及形成间隙填充层之后进行紫外光照射，使得去除第一覆盖层和第二覆盖层中的杂质和使所述间隙层致密化是同时执行的。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成间隙填充层之前，用紫外光照射第一覆盖层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成间隙填充层之前，用紫外光照射第二覆盖层。

4.一种用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法，所述方法包括：

形成层叠结构，所述层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；

在层叠结构上形成覆盖层，所述覆盖层包括杂质；

在层叠结构之间形成间隙填充层；以及

通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除所述覆盖层中的杂质以及使所述间隙填充层致密化，

其中，形成层叠结构和在层叠结构上形成覆盖层包括：

在下电极层上依次形成开关材料层、中间电极层、可变电阻层和上电极层；

通过分别刻蚀上电极层和可变电阻层形成上电极和可变电阻图案；

在上电极和可变电阻图案上形成第一覆盖层；

通过分别刻蚀中间电极层和开关材料层来形成中间电极和开关材料图案；

在中间电极、开关材料图案和第一覆盖层上形成第二覆盖层；

通过刻蚀下电极层形成下电极；以及

在下电极和第二覆盖层上形成第三覆盖层，以及

其中，用紫外光照射覆盖层和间隙填充层包括：在形成第一覆盖层至第三覆盖层以及形成所述间隙填充层之后用紫外光照射，使得去除第一覆盖层至第三覆盖层中的杂质和使所述间隙层致密化是同时执行的。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在形成第二覆盖层之前，用紫外光照射第一覆盖层。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：在形成第三覆盖层之前，用紫外光照射第二覆盖层。

7.根据权利要求4所述的方法，还包括：在形成间隙填充层之前，用紫外光照射第三覆盖层。

8.根据权利要求1或4所述的方法，其中，覆盖层包括氮化物材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，杂质是氢基化合物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，杂质包括H₂、CH₃、NH₃、H₂O、HF、CO、HCL、CO₂或其组合。

11.根据权利要求1或4所述的方法，其中，用紫外光照射覆盖层和间隙填充层是通过改变紫外光的温度或波长来执行的，以及

其中，在用紫外光照射覆盖层和间隙填充层之后，覆盖层中的剩余杂质具有梯度，每个覆盖层中的杂质的浓度在覆盖层的厚度方向上变化。