[发明专利]电子器件及其制造方法

说明书

在用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法中，该方法包括：形成层叠结构，层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。

相关申请的交叉引用

本专利要求2017年9月15日提交的申请号为10-2017-0118687的韩国申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的一方面涉及一种存储电路或存储器件，以及其在电子器件中的应用。

背景技术

近来，随着电子器件趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，本领域中需要能够将信息储存在各种电子产品(诸如计算机和便携式通信设备)中的半导体器件。因此，已经对能够储存与器件的不同电阻状态相对应的数据并且能够根据施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的一类半导体器件的开发进行了研究。该类型的半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电式随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电熔丝(E-fuse)等。

发明内容

实施例提供一种具有改进的操作特性和可靠性的存储单元的电子器件以及用于制造该电子器件的方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法，该方法包括：形成层叠结构，该层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法，该方法包括：形成层叠结构，层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用等离子体处理覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。

根据本公开的一个方面，提供了一种包括半导体存储器的电子器件，其中，半导体存储器包括：层叠结构；第一覆盖层，其覆盖层叠结构的侧壁的第一部分；第二覆盖层，其覆盖第一覆盖层和层叠结构的侧壁的第二部分，该第二部分由第一覆盖层暴露；以及间隙填充层，其填充层叠结构之间的一个或更多个间隙，其中，第一覆盖层中的氢基杂质的浓度低于第二覆盖层中的氢基杂质的浓度。

附图说明

图1A和图1B是示出根据本公开实施例的电子器件的结构的截面图。

图2A至图2C是示出根据本公开实施例的电子器件的阵列结构的视图。

图3A至图3C是示出根据本公开实施例的用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法的截面图。

图4A至图4E是示出根据本公开实施例的用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法的截面图。

图5和图6是示出根据本公开实施例的存储系统的配置的框图。

图7和图8是示出根据本公开实施例的计算系统的配置的框图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述各种实施例。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开透彻和完整，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，在本公开的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部件。