[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体基板，其包括多个隔离区域和彼此间隔开的多个像素区域，所述多个隔离区域的每个设置在所述多个像素区域当中的相邻像素区域之间，所述多个像素区域具有多个单位像素；

多个器件隔离层，所述多个器件隔离层的每个设置在所述多个隔离区域中的一个中并且围绕所述多个单位像素中的一个；

第一透明电极层，其设置在所述半导体基板之上；

有机光电层，其设置在所述第一透明电极层上；

第二透明电极层，其设置在所述有机光电层上；

通路插塞，其电连接到所述第一透明电极层，并且布置在所述多个器件隔离层当中的相邻器件隔离层之间，所述通路插塞穿过所述多个隔离区域中的一个；以及

侧表面绝缘层，所述侧表面绝缘层覆盖所述通路插塞的侧表面并且布置在所述相邻器件隔离层与所述通路插塞之间，

其中所述多个器件隔离层的每个包括由金属或半导体材料形成的芯隔离层、以及覆盖所述芯隔离层的侧壁并且由绝缘材料形成的盖隔离层，以及

其中所述盖隔离层还设置在所述侧表面绝缘层与所述芯隔离层之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个单位像素当中的两个相邻单位像素之间，包括所述通路插塞和所述侧表面绝缘层的穿透通路结构的宽度等于或大于所述多个器件隔离层的每个的宽度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括半导体层，所述半导体层布置在所述通路插塞与所述相邻器件隔离层之间或者在所述通路插塞与所述相邻器件隔离层之一之间，并且由与所述半导体基板相同的材料形成，所述半导体层与所述通路插塞被所述侧表面绝缘层隔开。

4. 根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个单位像素当中的两个相邻单位像素之间，所述通路插塞的宽度小于所述多个器件隔离层中的一个的宽度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一透明电极层被构造为彼此间隔开并且布置在所述多个像素区域中的多个部分，以及

所述第二透明电极层被构造为在所述多个像素区域之上的一体部分。

6.一种图像传感器，包括：

半导体基板，其包括多个隔离区域和彼此间隔开的多个像素区域，所述多个隔离区域的每个设置在所述多个像素区域当中的相邻像素区域之间，所述多个像素区域具有多个单位像素；

布置在所述多个隔离区域中的多个器件隔离层；

第一透明电极层，其布置在所述半导体基板之上以及在所述多个像素区域的每个中；

第二透明电极层，其形成为在所述多个像素区域之上的一体部分；

有机光电层，其设置在所述第一透明电极层与所述第二透明电极层之间；

通路插塞，其布置在所述多个器件隔离层当中的相邻器件隔离层之间，并且电连接所述第一透明电极层和所述多个单位像素中的一个，所述通路插塞穿过所述半导体基板并设置在所述多个隔离区域中的一个中；以及

侧表面绝缘层，所述侧表面绝缘层覆盖所述通路插塞的侧表面并且布置在所述相邻器件隔离层与所述通路插塞之间，

其中所述多个器件隔离层的每个包括由导电材料形成的芯隔离层、以及覆盖所述芯隔离层的侧壁并且由绝缘材料形成的盖隔离层，以及

其中所述盖隔离层还设置在所述侧表面绝缘层与所述芯隔离层之间。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述芯隔离层与所述多个单位像素电绝缘。

8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述通路插塞设置在所述多个单位像素当中的两个相邻单位像素之间。

9.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述通路插塞设置在所述多个单位像素当中的四个相邻单位像素之间。

10.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括在所述半导体基板中彼此间隔开并设置在所述多个像素区域的每个中的光电转换器件和存储节点区域，

其中所述通路插塞电连接所述第一透明电极层和所述存储节点区域。