[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201810442999.3 | 申请日: | 2018-05-10 |
公开(公告)号: | CN108878397B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 李贵德;李光敏;李泰渊;石井胜 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L27/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。
技术领域
本发明构思涉及图像传感器,更具体地,涉及包括有机光电层的图像传感器。
背景技术
用于将光波转换成电信号的图像传感器用于在汽车、安保装置和机器人内安装的照相机、以及诸如数码照相机、便携式电话的照相机和便携式摄像机的消费电子(CE)装置中生成图像。
具有更小尺寸和更高分辨率的图像传感器已经变得必需,因而采用包括有机光电层的图像传感器来减小像素尺寸。
发明内容
本发明构思提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。
根据本发明构思的一方面,提供了一种图像传感器,其包括含彼此间隔开的多个像素区域以及其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括设置在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层、第二透明电极层、以及电连接到第一透明电极层的通路插塞。通路插塞在隔离区域中设置于器件隔离层之间并穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层、第二透明电极层顺序地设置在半导体基板之上。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种图像传感器,其包括含隔离区域和彼此间隔开的多个像素区域的半导体基板。器件隔离层设置在所述多个像素区域当中的两个相邻像素区域之间。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括设置在半导体基板之上并且在所述多个像素区域的每个中以对应于单位像素的第一透明电极层、形成为在所述多个像素区域之上的一体部分的第二透明电极层、以及设置在第一透明电极层与第二透明电极层之间的有机光电层。该图像传感器还包括通路插塞,其被设置在器件隔离层之间并且通过穿过半导体基板的隔离区域而电连接第一透明电极层和单位像素。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种图像传感器,其包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素,并且器件隔离层布置在每个隔离区域中。该图像传感器还包括布置在半导体基板之上并且在所述多个像素区域的每个中以对应于单位像素的第一透明电极层、形成为在所述多个像素区域之上的一体部分的第二透明电极层、以及在第一透明电极层与第二透明电极层之间的有机光电层。该图像传感器还包括通路插塞,其被布置在器件隔离层之间并通过穿过半导体基板的隔离区域而电连接第一透明电极层和单位像素。在两个相邻单位像素之间,通路插塞的宽度小于器件隔离层的宽度。
附图说明
本发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解,附图中:
图1A和1B示出根据本发明构思的一实施方式的图像传感器的一部分的垂直剖视图;
图2A至2D示出显示了根据本发明构思的一实施方式的制造图像传感器的方法的水平剖视图;
图3A和3B分别示出根据本发明构思的一实施方式的图像传感器的一部分的水平剖视图及其一些放大部分的垂直剖视图;
图4A至4C示出根据本发明构思的一实施方式的图像传感器的一部分的水平剖视图;
图5示出显示了根据本发明构思的一实施方式的制造图像传感器的方法的水平剖视图;
图6A和6B分别示出根据本发明构思的一实施方式的图像传感器的一部分的水平剖视图及其放大的一些部分的垂直剖视图;
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