[发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片

权利要求书

1.一种倒装芯片型发光二极管芯片，包括：

基底；

发光二极管部件，置于所述基底上；

反射电极，置于所述发光二极管部件上；

下绝缘层，覆盖所述反射电极和所述发光二极管部件，并且具有暴露所述发光二极管部件上的所述反射电极的第一开口；

电流扩散层，置于下绝缘层上以通过所述下绝缘层与所述反射电极绝缘，并且具有第二开口，其中，所述电流扩散层的所述第二开口具有比所述下绝缘层的所述第一开口的面积大的面积；以及

上绝缘层，形成在所述电流扩散层上，并且具有通过其注入电流的多个开口。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述电流扩散层的所述第二开口的侧壁设置在所述下绝缘层上，并且被所述上绝缘层覆盖。

3.根据权利要求2所述的倒装芯片型发光二极管芯片，所述倒装芯片型发光二极管芯片还包括：反向并联二极管部件，置于所述基底上并连接到所述发光二极管部件，

其中，所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件中的每个包括：第一导电型氮化物基半导体层；第二导电型氮化物基半导体层，所述反射电极置于所述第二导电型氮化物基半导体层上；有源层，置于所述第一导电型氮化物基半导体层和所述第二导电型氮化物基半导体层之间。

4.根据权利要求3所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述下绝缘层还覆盖所述反向并联二极管部件，并且还具有暴露所述反向并联二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层的第三开口，

其中，所述电流扩散层还具有第四开口，所述电流扩散层的所述第四开口具有比所述下绝缘层的所述第三开口的面积大的面积。

5.根据权利要求4所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述电流扩散层的所述第四开口的侧壁设置在所述下绝缘层上，并且被所述上绝缘层覆盖。

6.根据权利要求5所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述上绝缘层的所述多个开口包括暴露所述发光二极管部件上的所述电流扩散层的第五开口、暴露所述发光二极管部件上的所述反射电极的第六开口、以及暴露所述反向并联二极管部件中的第一导电型氮化物基半导体层的第七开口，

其中，所述上绝缘层的所述第六开口暴露通过所述电流扩散层的所述第二开口和所述下绝缘层的所述第一开口暴露的反射电极，

其中，所述上绝缘层的所述第七开口暴露通过所述电流扩散层的所述第四开口和所述下绝缘层的所述第三开口暴露的第一导电型氮化物基半导体层。

7.根据权利要求6所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述倒装芯片型发光二极管芯片还包括第一电极垫和第二电极垫，

其中，第一电极垫置于所述反射电极上且置于所述发光二极管部件上，第二电极垫置于所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件上方，

其中，电流扩散层置于所述反射电极和所述第一电极垫之间，并且电连接到所述发光二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层。

8.根据权利要求7所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述第一电极垫电连接到所述发光二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层。

9.如权利要求8所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述第二电极垫电连接到所述发光二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层。

10.如权利要求9所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，通过所述下绝缘层的第一开口和第三开口分别暴露的所述反射电极和所述第一导电型氮化物基半导体层通过所述第二电极垫彼此电连接。