[发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片

说明书

本发明提供了一种倒装芯片型发光二极管芯片。该倒装芯片型发光二极管芯片包括：基底；发光二极管部件，置于所述基底上；反射电极，置于所述发光二极管部件上；下绝缘层，覆盖所述反射电极和所述发光二极管部件，并且具有暴露所述发光二极管部件上的所述反射电极的第一开口；电流扩散层，置于下绝缘层上以通过所述下绝缘层与所述反射电极绝缘，并且具有第二开口，其中，所述电流扩散层的所述第二开口具有比所述下绝缘层的所述第一开口的面积大的面积；以及上绝缘层，形成在所述电流扩散层上，并且具有通过其注入电流的多个开口。

本申请是申请日为2014年7月10日、申请号为201480049884.8、发明名称为“具有ESD保护的LED芯片”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光器件，更具体地，涉及一种具有静电放电保护的发光二极管芯片。

背景技术

通常，GaN基化合物半导体生长在蓝宝石基底上，其晶体结构和晶格参数类似于半导体，通过外延生长以减少晶体缺陷。然而，生长在蓝宝石基底上的外延层含有许多晶体缺陷，例如V-坑、穿透位错等等。当将高电压的静电施加到外延层时，电流集中于外延层中的晶体缺陷上，从而引起二极管击穿。

目前，高亮度、高输出的发光二极管(LED)的应用从LED电视背光单元增加到照明设备、汽车、电动展示板、设施等等。因此，在本领域中需要进一步改进对发光器件的静电放电(ESD)保护。

LED需要这种保护，以使用具有优异电可靠性的ESD保护装置保证半永久性使用生命周期。针对静电放电、电快速瞬变(EFT，指开关中产生的火花)、空中的雷电浪涌，保护LED的可靠性尤为重要。

通常，在发光二极管的封装中，一个单独的齐纳二极管与发光二极管安装在一起，以防止静电放电(见韩国专利公开No.10-2011-0128592等等)。然而，齐纳二极管很昂贵，并且安装齐纳二极管的过程增加了封装发光二极管的工艺数量和制造成本。此外，因为齐纳二极管在LED封装中放置在靠近发光二极管的位置，所以LED封装的发光效率会因齐纳二极管吸收的光而降低，从而降低LED封装的产率。

发明内容

【发明的公开】

【技术问题】

本发明的目的是提供具有静电放电保护的发光二极管芯片。

【技术方案】

本发明的示例性实施例公开了一种倒装芯片型发光二极管芯片，包括：基底；发光二极管部件，在基底上对齐；以及反向并联二极管部件，设置在基底上并连接到发光二极管部件。发光二极管部件可以被反向并联二极管部件保护免受静电放电的影响。

倒装芯片型发光二极管芯片还可以包括第一电极垫和第二电极垫。第一电极垫可以与发光二极管部件对齐，第二电极垫可以与发光二极管部件和反向并联二极管部件对齐。

另外，发光二极管部件和反向并联二极管部件中的每个可以包括：第一导电型氮化物基半导体层；第二导电型氮化物基半导体层；以及置于第一导电型氮化物基半导体层和第二导电型氮化物基半导体层之间的有源层。

此外，第一电极垫可以电连接到发光二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层和反向并联二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层。另一方面，第二电极垫可以电连接到发光二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层和反向并联二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层。

倒装芯片型发光二极管芯片还可以包括反射电极，该反射电极在发光二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层上对齐，并且第一电极垫可以置于该反射电极上。

倒装芯片型发光二极管芯片还可以包括电流扩散层，该电流扩散层置于反射电极和第一电极垫之间，并且电连接到发光二极管部件的第一导电型氮化物基半导体层和反向并联二极管部件的第二导电型氮化物基半导体层。电流扩散层与反射电极绝缘。