[发明专利]记忆装置中进行写入管理的方法、记忆装置和其控制器

权利要求书

1.一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法，所述记忆装置包括一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括一或多个非挥发性存储器组件，所述一或多个非挥发性存储器组件中的任一者包括多个区块，所述多个区块中的任一者包括多页，所述方法的特征在于，包括有：

从一主装置接收一系列数据，以从所述系列数据取出偶页数据与奇页数据；

将所述偶页数据中的第一局部数据写入至所述非挥发性存储器；

传送不带有一确认指令的一第一组指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入所述非挥发性存储器中的一内部缓冲器，其中所述确认指令是用来触发所述非挥发性存储器执行至少一指令以对所述非挥发性存储器中的至少一非挥发性存储器组件进行编程运作；

传送一第二组指令与所述确认指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的一区块，其中所述至少一指令包括所述第二组指令，且所述确认指令触发所述非挥发性存储器执行所述第二组指令；

将所述奇页数据中的第三局部数据写入至所述非挥发性存储器；以及

将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的另一区块的一偶页，且将所述第三局部数据与所述奇页数据中的第四局部数据写入至所述另一区块的一奇页。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述区块与所述另一区块分别属于不同类型的区块。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述区块代表一快取区块，且所述另一区块代表一子区块。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述不同类型的区块是分别通过不同的写入模式来写入。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令所指定的一目标写入位置位于所述另一区块。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组指令所指定的一目标写入位置位于所述区块。

7.如权利要求1所述的方法，其还包括：

检查所述奇页数据是否已被完整地收到，其中所述奇页数据是否已被完整地收到对应于所述第三局部数据与所述第四局部数据是否都已被收到；以及

当所述奇页数据已被完整地收到时，执行将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述另一区块的所述偶页且将所述第三局部数据与所述第四局部数据写入至所述另一区块的所述奇页的运作。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述另一区块的所述奇页是所述另一区块的所述偶页的下一页。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非挥发性存储器是以立体NAND型快闪架构来实施。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述记忆装置包括一控制器与所述非挥发性存储器，且所述控制器包括一缓冲存储器，其中所述缓冲存储器中的一缓冲区的大小等于一页的大小。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令与所述第二组指令分别指出所述非挥发性存储器应当通过不同的写入模式来对所述非挥发性存储器进行写入。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令指出所述非挥发性存储器应当通过一多阶细胞写入模式来对所述非挥发性存储器进行写入，且所述第二组指令指出所述非挥发性存储器应当通过一单阶细胞写入模式来对所述非挥发性存储器进行写入。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组指令取代所述第一组指令的至少一部分。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组指令是所述第一组指令的更新指令。