[发明专利]记忆装置中进行写入管理的方法、记忆装置和其控制器

说明书

本发明公开了一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。所述方法可包括：将偶页数据中的第一局部数据写入至非挥发性存储器；传送不带有确认指令的第一组指令至非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入它的内部缓冲器；传送第二组指令与确认指令至非挥发性存储器，以将第一局部数据与第二局部数据写入至它的一区块；将奇页数据中的第三局部数据写入至非挥发性存储器；以及将第一与第二局部数据写入至非挥发性存储器的另一区块的偶页，且将第三与第四局部数据写入至此区块的奇页。本发明能针对控制器的运作进行妥善的控制，以突破采用较新技术制造闪存时的瓶颈。

技术领域

本发明涉及闪存(Flash memory)的存取(access)，尤其涉及一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，在采用较新的技术制造闪存的状况下，某些设计理念可导致记忆装置的缓冲器大小的需求变为原来的两倍，就有预算控制以及产品效能之间的权衡(trade-off)，其可视为于采用较新的技术制造闪存时的瓶颈。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。