[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810455003.2 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108428728B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 万康;于锋;李阳 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 显示面板 有机发光单元 安装槽 切割开槽 显示装置 预留区 制作 蒸镀 封装 切割 损伤 薄膜封装层 水蒸气 安装空间 薄膜封装 封闭空间 使用寿命 显示效果 硬件结构 有机单元 贯穿 撕裂 良率 膜层 垂直 膨胀 侵蚀 吸收 生产 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括至少一个用于为硬件结构提供安装空间的安装槽,以及贯穿所述阵列基板部分膜层的封装预留区;
所述安装槽在垂直于所述阵列基板的方向上贯穿所述阵列基板,所述封装预留区围绕所述安装槽设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板的薄膜晶体管,以及设置于所述薄膜晶体管上的阳极和功能膜层;所述功能膜层至少包括像素限定层;
所述安装槽在垂直于所述衬底基板的方向上贯穿所述衬底基板及阵列基板上的各膜层;
所述封装预留区贯穿所述功能膜层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述安装槽的边缘与其相邻的所述功能膜层的边界界定出所述封装预留区;
所述安装槽的边缘距与其相邻的所述功能膜层的边界的距离为80~150μm。
4.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,阵列基板包括至少一个开槽区及围绕所述开槽区设置的封装预留区;所述封装预留区贯穿所述阵列基板的部分膜层;
所述方法包括:
在开槽区开设用于为硬件结构提供安装空间的安装槽;所述安装槽在垂直于所述阵列基板的方向上贯穿所述阵列基板。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管、阳极及功能膜层,使所述功能膜层具有贯穿其的镂空图案,以形成所述封装预留区;所述功能膜层至少包括像素限定层。
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管、阳极及功能膜层;
去除位于封装预留区的功能膜层;所述功能膜层至少包括像素限定层。
7.显示面板,其特征在于,包括阵列基板、有机发光单元及封装层,所述阵列基板包括至少一个用于为硬件结构提供安装空间的安装槽,以及贯穿所述阵列基板部分膜层的封装预留区;所述安装槽在垂直于所述阵列基板的方向上贯穿所述阵列基板,所述封装预留区围绕所述安装槽设置;
所述有机发光单元形成于所述阵列基板上,且位于所述安装槽及所述封装预留区外,所述封装层形成于所述有机发光单元背离所述阵列基板的一侧;
所述封装预留区设置有预设厚度的封装层材料,所述预设厚度的封装层材料至少覆盖与所述安装槽的边缘相邻的所述有机发光单元的侧面。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板的薄膜晶体管,以及设置于所述薄膜晶体管上的阳极和功能膜层;所述封装预留区贯穿所述功能膜层;所述功能膜层至少包括像素限定层;
所述安装槽在垂直于所述衬底基板的方向上贯穿所述衬底基板及阵列基板上的各膜层;
所述封装层材料至少覆盖与所述安装槽的边缘相邻的所述功能膜层及所述有机发光单元。
9.显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一阵列基板;阵列基板包括至少一个用于为硬件结构提供安装空间的安装槽,以及贯穿所述阵列基板部分膜层的封装预留区;所述安装槽在垂直于所述阵列基板的方向上贯穿所述阵列基板,所述封装预留区围绕所述安装槽设置;
在阵列基板上的安装槽及封装预留区外形成所述有机发光单元;
在所述有机发光单元背离所述阵列基板的一侧形成封装层,且在所述封装预留区形成有预设厚度的封装层材料;所述预设厚度的封装层材料至少覆盖与所述安装槽的边缘相邻的所述有机发光单元的侧面。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权要求7或8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的