[发明专利]体声波谐振器有效
申请号: | 201810455217.X | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN108649921B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 申济湜;金德焕;金哲秀;朴浩洙;孙尚郁;宋寅相;李文喆;崔婧 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 | ||
提供了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:基底;空气空腔,设置在第一电极之下;体声波谐振单元,设置在空气空腔之上,并且包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的压电层;第一反射层,设置在第二反射层与第二电极之间;第二反射层,设置在第一反射层与空气空腔之间,其中,第二反射层具有与第一反射层不同的声阻抗,其中,第一反射层包括用于补偿体声波谐振单元的频率温度系数TCF的至少一种材料,使得所述第一反射层包括:材料,被构造为在反射层中具有设定的较低的声阻抗特性;材料,被构造为提供被设置为将体声波谐振单元的TCF补偿为近似为零的设置的TCF补偿特性。
本申请是申请日为2012年6月4日,申请号为201280022984.2,题为“体声波谐振器”的专利申请的分案申请。
技术领域
下面的描述涉及一种体声波谐振器(BAWR)。
背景技术
体声波谐振器(BAWR)可以通过设置在压电层之上和/或之下的电极来操作。响应于施加到电极的高频信号,压电层会振动。结果,可以操作BAWR。
BAWR可以用于无线信号传输,例如,用作无线通信装置、无线发射器、无线传感器的滤波器、发射器、接收器、双工器(duplexer)等。作为另一示例,BAWR可以用于无线数据的输入和输出。
存在多种类型的用于不同目的的无线通信装置。通常被认为是有线装置的无线装置的数量已经快速增加。因此,期望进行对于以低功率和高速度操作的射频(RF)装置的研究,以消耗更少的能量并节约资源。
发明内容
技术方案
在一个方面,提供了一种体声波谐振器(BAWR),所述BAWR包括:体声波谐振单元,包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的压电层;以及反射层,反射由于施加到第一电极和第二电极的信号而从压电层产生的谐振频率的波。
BAWR还可包括基底和设置在基底上方的空气空腔,其中,反射层设置在空气空腔上并且设置在体声波谐振单元下方。
反射层可以包括:第一反射层,设置在体声波谐振单元下方;以及第二反射层,设置在第一反射层下方并且设置在空气空腔上,第二反射层的声阻抗高于第一反射层的声阻抗。
第一反射层可以包括氧化硅基材料、氮化硅基材料、氧化铝基材料和氮化铝基材料中的至少一种。
第一反射层和第二反射层的厚度均可为谐振频率的波长的大约1/4。
反射层可以包括频率温度系数(TCF)的符号与体声波谐振单元的TCF的符号相反的至少一种材料。
反射层可包括具有TCF的材料,反射层的材料的TCF与体声波谐振单元的TCF的和可以近似为零。
反射层可以设置在体声波谐振单元上。
反射层可以包括:第一反射层,设置在体声波谐振单元上;以及第二反射层,设置在第一反射层上,第二反射层的声阻抗高于第一反射层的声阻抗。
第一反射层可以包括氧化硅基材料、氮化硅基材料、氧化铝基材料和氮化铝基材料中的至少一种。
第二反射层可以包括钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)和铂(Pt)中的至少一种或者Mo、Ru、W和Pt中的至少两种的化合物。
反射层可以包括:第一反射层,设置在体声波谐振单元下方;第二反射层,设置在第一反射层下方并且设置在空气空腔上,第二反射层的声阻抗高于第一反射层的声阻抗;第三反射层,设置在体声波谐振单元上;以及第四反射层,设置在第三反射层上,第四反射层的声阻抗高于第三反射层的声阻抗。
第一反射层和第三反射层可由TCF的符号与体声波谐振单元的TCF的符号相反的材料形成。
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