[发明专利]一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器

权利要求书

1.一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，包括：上盖(3)、下盖(21)、内筒(6)、外筒(7)、活塞(8)、第一不导磁组件(10)、第二不导磁组件(23)、第一筒壁磁环(11)、第二筒壁磁环(13)、第三筒壁磁环(15)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁不导磁段(14)、不导磁杆(24)、第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)、线圈(30)、导磁套筒(31)和导磁环(32)；

外筒同心且间隔设置于内筒外周；外筒和内筒安装于下盖和上盖之间；

内筒中安装有活塞；活塞与内筒之间通过密封圈进行密封；

第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)间隔固定在内筒(6)中；

不导磁杆(24)固定于第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)之间；第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)间隔设置；第一导磁组件(25)、第三导磁组件(27)、第五导磁组件(29)中心固定在不导磁杆(24)上；

内筒(6)和外筒(7)相应位置均设有环形断口；每个环形断口均通过依次连接的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)连接；

第二导磁组件(26)和第四导磁组件(28)的外圈与对应的内筒的第一筒壁不导磁段(12)、内筒的第二筒壁不导磁段(14)的内壁固定连接；

四个导磁环(32)与外筒上第一筒壁磁环(11)、第二筒壁磁环(13)、第三筒壁磁环(15)固定连接；两个导磁环(32)与外筒的第二筒壁磁环(13)固定连接；两个导磁环(32)与对应的一个导磁套筒(31)通过螺纹连接；两个导磁环(32)与对应的导磁套筒(31)围成的空间中安装一个线圈(30)；

第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)中间均设有若干不导磁组件通流孔(17)；

内筒(6)的上部靠近上盖(3)处设有径向的上腔通流孔(5)；第一导磁组件(25)与第二不导磁组件(23)之间的内筒(6)处设有下腔通流孔(16)；上腔的磁流变液能够通过上腔通流孔(5)、内筒(6)与外筒(7)之间的间隙、下腔通流孔(16)、第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)中间的不导磁组件通流孔(17)形成了磁流变液的流动回路；

第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)之间间隔设置，在第一导磁组件(25)与内筒第三筒壁导磁环(15)之间、第一导磁组件(25)与第二导磁组件(26)之间、第二导磁组件(26)的内圈与不导磁杆(24)之间、第二导磁组件(26)与第三导磁组件(27)之间、第三导磁组件(27)与内筒第二筒壁导磁环(13)之间、第三导磁组件(27)与第四导磁组件(28)之间、第四导磁组件(28)的内圈与不导磁杆(24)之间、第四导磁组件(28)与第五导磁组件(29)之间、第五导磁组件(29)与内筒第一筒壁导磁环(11)之间形成连通的蜿蜒磁流变液通道间隙；

内筒(6)和内筒对应的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)相互通过螺纹连接并通过密封圈密封；

第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环都是高导磁性材料，第一筒壁不导磁段、第二筒壁不导磁段为不导磁材料或者导磁率很低的不锈钢材料。

2.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，内筒(6)中还安装有位于第二不导磁组件(23)和下盖之间的浮动活塞(19)；浮动活塞(19)与内筒(6)内壁通过密封圈密封。

3.根据权利要求1所述的一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，当活塞(8)向下运动时，磁流变液从活塞与第一不导磁组件中间的腔通过第一不导磁组件(10)上的不导磁组件通流孔(17)、蜿蜒磁流变液通道间隙、下腔通流孔(16)、内筒(6)与外筒(7)之间的筒壁间隙、上腔通流孔(5)形成了环形流动通道。