[发明专利]一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器有效
申请号: | 201810457849.X | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108591345B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 董龙雷;严健;何林娜;蔡银山;赵建平;李宇东;官威;周嘉明;马琳婕;韩祎 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | F16F9/53 | 分类号: | F16F9/53 |
代理公司: | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 田洲 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁流变阻尼器 阻尼力 高磁场 双筒壁 活塞式磁流变阻尼器 磁场利用率 失效安全性 磁感线圈 磁流变液 范围允许 活塞行程 传统的 固定阀 散热 匝数 通电 维修 移动 | ||
本发明公开一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器,针对传统的活塞式磁流变阻尼器将移动的磁感线圈变成了在满足活塞行程的条件下的固定阀式结构,使得磁场利用率大大提高,同时对于线圈的散热以及对磁流变液的性质的影响、磁流变阻尼器的维修等问题得到了解决,也具有在空间范围允许的条件下极大地增大线圈的匝数来增大阻尼力的特点,增大了阻尼力的动态范围。当通电出现故障时,由于蜿蜒的回路也可产生一定大小的阻尼力,具有了一定的失效安全性。
技术领域
本发明属于阻尼器技术领域,特别涉及一种磁流变阻尼器。
背景技术
磁流变液属可控流体,是智能材料中研究较为活跃的一支。磁流变阻尼器是一种半主动阻尼器件,是依据磁流变液在有磁场作用下流动性能发生改变的原理制作,具有响应速度快、调节范围宽、输出阻尼力大等优点,是一种优秀的半主动减振器件。目前,已经广泛应用在船舰、火炮、车辆等结构减振领域。
常见的磁流变阻尼器大多都是将线圈缠绕在活塞头上,然后活塞头上形成闭合的磁路或者通过活塞头和缸筒之间形成闭合磁路。当通电时,在活塞头的间隙或者活塞头和缸筒的间隙产生垂直于磁流变液流动方向的磁场,通过改变电流的大小可以来改变间隙磁流变液的剪切屈服应力,从而增大阻尼力。但是这类大多的阻尼器存在很多的缺陷:
(1)磁场利用率不够高,阻尼器没有充分利用电磁线圈产生的磁场,造成产生的阻尼力动态范围不够大。
(2)该类阻尼器由于电磁线圈在磁流变液里工作,在线圈工作的时候会产生大量的热,影响磁流变液的工作性能,也会影响线圈的使用寿命。
(3)当流变阻尼器在使用过程中线圈存在问题时会给维修带来困难,因为必须将阻尼器的很多密封系统打开,给维修带来不便。
(4)当阻尼器的阻尼力不够大时,希望通过增大线圈匝数来改变阻尼力,由于缸筒尺寸的既定也会限制了阻尼力的范围。
(5)由于线圈的通电,一般是通过阻尼器的活塞杆来引出,同时给阻尼器的密封带来不便。
(6)故障情况下励磁线圈失电时没法产生足够的阻尼力来进行减振,不能预防危险的发生。
因此,设计一种具有安全性高、磁场利用率高、输出阻尼力大以及维修方便的磁流变阻尼器很符合当前的应用领域要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器,以解决上述技术问题。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器,包括:上盖、下盖、内筒、外筒、活塞、第一不导磁组件、第二不导磁组件、第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环、第一筒壁不导磁段、第二筒壁不导磁段、不导磁杆、第一导磁组件、第二导磁组件、第三导磁组件、第四导磁组件、第五导磁组件、浮动活塞、线圈、导磁套筒和导磁环;
外筒同心且间隔设置于内筒外周;外筒和内筒安装于下盖和上盖之间;
内筒中安装有活塞;活塞与内筒之间通过密封圈进行密封;
第一不导磁组件和第二不导磁组件间隔固定在内筒中;
不导磁杆固定于第一不导磁组件和第二不导磁组件之间;第一导磁组件、第二导磁组件、第三导磁组件、第四导磁组件和第五导磁组件间隔设置;第一导磁组件、第三导磁组件、第五导磁组件中心固定在不导磁杆上;
内筒和外筒相应位置均设有环形断口;每个环形断口均通过依次连接的第一筒壁磁环、第一筒壁不导磁段、第二筒壁磁环、第二筒壁不导磁段和第三筒壁磁环连接;
第二导磁组件和第四导磁组件的外圈与对应的内筒的第一筒壁不导磁段、内筒的第二筒壁不导磁段的内壁固定连接;
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