[发明专利]一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置在审
申请号: | 201810458045.1 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108389818A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 简健哲;黄荣龙 | 申请(专利权)人: | 安徽宏实自动化装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230001 安徽省合肥市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 网板 滚动辊 喷淋管 网槽 齿轮传动轴 化学槽 蚀刻 均匀化装置 设备动态 湿式制程 箱体内腔 基板 联动 制程 矩形槽腔 两侧端部 蚀刻基板 直线分布 喷嘴 均匀性 内流场 上喷嘴 小幅度 摆动 流场 喷出 垂直 贯通 | ||
一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置,包括化学槽箱体,化学槽箱体为矩形槽腔体,箱体内腔上部设有固定安装的喷淋管,喷淋管底部设有均匀直线分布的喷嘴,箱体内腔底部设有滚动辊,滚动辊水平且与喷淋管空间上垂直,滚动辊上放置基板,所述喷淋管的下方,基板的上方设有网板,网板上设有均匀分布的贯通网槽,滚动辊的两侧端部设有齿轮传动轴,网板底部与齿轮传动轴联动。网板上有排列均匀的网槽,喷淋管上喷嘴喷出的药液经网槽均匀蚀刻基板上的产品,通过改变实际制程过程中网板的网槽大小和排列情况,实现化学槽箱体内流场更稳定均匀,在制程进行时,网板与滚动辊的齿轮传动轴联动发生小幅度的摆动,进一步确保流场的均匀性。
技术领域
本发明涉及湿式制程设备领域,尤其涉及一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置。
背景技术
半导体制程是在超洁净无尘室进行的,仍然有些污染源的存在,至于污染源的来源,不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生,以及制程反应产生物的结果,尤其是制程反应产生物一项,更成为制程污染的主要来源,大多会造成良率和可靠度的下降;在半导体制程中,无论是在去光阻、化学气相沉淀、氧化扩散、晶圆研磨以后等各阶段制程都需要反复清洗步骤。
湿式制程机台在半导体产业已是成熟发展,但有些机构设计,使用上有维修困难、耗液量大、均匀性不佳、漏液,背面脏污等等问题。其中,半导体在生产工艺上需要进行去毛边处理,常规的物力抛丸方式,不仅会带入异物,污染产品,还容易导致半导体产品的损伤,因此药液蚀刻成为较佳方式,药液的喷洒的均匀性比较难控制,如何使得药液均匀性蚀刻半导体显得尤为重要,药液过渡接触半导体容易造成蚀刻过渡,药液量不足容易导致蚀刻不完全,影响半导体性能,导致半导体良品率较低。
发明内容
本发明正是针对现有技术存在的不足,提供了一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置。
为解决上述问题,本发明所采取的技术方案如下:
一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置,包括化学槽箱体,化学槽箱体为矩形槽腔体,箱体内腔上部设有固定安装的喷淋管,喷淋管底部设有均匀直线分布的喷嘴,箱体内腔底部设有滚动辊,滚动辊水平且与喷淋管空间上垂直,滚动辊上放置基板,所述喷淋管的下方,基板的上方设有网板,网板上设有均匀分布的贯通网槽,滚动辊的两侧端部设有齿轮传动轴,网板底部与齿轮传动轴联动。
进一步的,所述化学槽箱体两侧分别设有抽气口和进气口,箱体外部设有风机,抽气口和进气口通过外设的风机管路联通。
进一步的,所述喷淋管设有进液管路和进气管路,进气管路与进气口连接,进液管路与化学槽箱体上方设有的进液管连接。
进一步的,所述喷淋管与喷嘴的连接处设有密封圈。
进一步的,所述网板的网槽口设有内倾的坡口,且网槽口的数量、大小形状和排列方式根据制程需要设计。
本发明与现有技术相比较,本发明的有益效果如下:
本发明所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置,在喷淋管和基板之间安装的网板,网板上有排列均匀的网槽,喷淋管上喷嘴喷出的药液经网槽均匀蚀刻基板上的产品,通过改变实际制程过程中网板的网槽大小和排列情况,实现化学槽箱体内流场更稳定均匀,在制程进行时,网板与滚动辊的齿轮传动轴联动发生小幅度的摆动,进一步确保流场的均匀性。
附图说明
图1为本发明所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置结构示意图;
图2为图1中网板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造