[发明专利]驱动晶体管的参数侦测方法及装置、补偿方法

权利要求书

1.一种驱动晶体管的参数侦测方法，所述驱动晶体管除栅极外的第一极与电源电压端电连接，第二极与感应线电连接；其特征在于，所述参数侦测方法包括：对K值进行侦测；

其中，对K值进行侦测，包括：

建立V_sense与V_data、K、t的第一方程式为V_sense＝V_data(1-e^-At)，V_data、K、t为自变量，V_sense为因变量；其中，C_sense为所述感应线的电容，V_data为数据电压，V_sense为所述感应线上的电压，t为充电时间；μ为所述驱动晶体管的迁移率，C为所述驱动晶体管的沟道绝缘层电容，为所述驱动晶体管的宽长比；

改变t的值，得到与各t值对应的V_sense的值；

使用得到的多组(t，V_sense)值，按照所述第一方程式进行曲线拟合，以根据拟合结果得到K值。

2.根据权利要求1所述的参数侦测方法，其特征在于，所述参数侦测方法还包括对阈值电压进行侦测；

其中，对阈值电压进行侦测，包括：

向所述驱动晶体管的栅极输入已知的V_data值，向所述感应线输入复位电压，以使所述驱动晶体管导通；通过所述电源电压端提供的电压对所述感应线的电容进行充电，直至所述驱动晶体管截止，获取V_sense的值；

采用所述驱动晶体管截止后得到的V_sense值，减掉向所述驱动晶体管的栅极输入的V_data值，得到V_th的值。

3.根据权利要求2所述的参数侦测方法，其特征在于，所述参数侦测方法还包括：

在数据写入时，将的值写入至驱动晶体管的栅极，将0V输入至所述驱动晶体管的第二极，对所述驱动晶体管的K值进行补偿。

4.根据权利要求3所述的参数侦测方法，其特征在于，所述参数侦测方法还包括：

在通过对阈值电压侦测获得V_th值的情况下，在数据写入时，将的值写入至所述驱动晶体管的栅极。

5.一种用于侦测驱动晶体管参数的装置，所述驱动晶体管除栅极外的第一极与电源电压端电连接，第二极与感应线电连接；其特征在于，所述装置包括：K值侦测模块；

所述K值侦测模块包括第一方程式建立单元、第一测量单元和曲线拟合单元；

所述第一方程式建立单元，用于建立V_sense与V_data、K、t的第一方程式为V_sense＝V_data(1-e^-At)，V_data、K、t为自变量，V_sense为因变量；其中，C_sense为所述感应线的电容，V_data为数据电压，V_sense为所述感应线上的电压，t为充电时间；μ为所述驱动晶体管的迁移率，C为所述驱动晶体管的沟道绝缘层电容，为所述驱动晶体管的宽长比；

所述第一测量单元，用于改变t的值，得到与各t值对应的V_sense的值；

所述曲线拟合单元，用于使用得到的多组(t，V_sense)值，按照所述第一方程式进行曲线拟合，以根据拟合结果得到K值。