[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：

环状槽形成步骤，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面侧沿着该外周剩余区域的内周形成深度超过该晶片的完工厚度的环状的槽，其中，在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件；

保护膜紧贴步骤，利用保护膜对该晶片的该器件区域和该槽进行覆盖，使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧；

带保护部件的晶片形成步骤，利用保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成；

磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削而使该晶片变薄至该完工厚度，并且使该槽在该背面侧露出，从而将由该保护部件覆盖的状态的该晶片分离成环状部和圆形部，该环状部包含该外周剩余区域，该圆形部包含该器件区域；以及

剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从该圆形部的该器件区域剥离而与该环状部一起去除。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该保护膜紧贴步骤中，将该保护膜压入至该槽并与该槽紧贴。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该环状槽形成步骤中，利用切削刀具沿着该外周剩余区域的内周对该晶片的该正面侧进行切削而形成该槽。

4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该环状槽形成步骤中，沿着该外周剩余区域的内周对该晶片的该正面侧照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束而形成该槽。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，

该晶片的外周缘的该正面侧被进行了倒角，

在该带保护部件的晶片形成步骤中，按照对包含该被进行了倒角的该外周缘的该正面侧的一部分在内的该晶片的该正面侧进行覆盖的方式包覆该保护部件。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该带保护部件的晶片形成步骤中，在隔着该保护膜将该晶片按压至被涂布在平坦的片上的该液态树脂之后，利用外部刺激使该液态树脂硬化而将由该液态树脂构成的该保护部件固定在该晶片上。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该保护膜紧贴步骤中，在减压下将该保护膜向该晶片的该正面按压，然后通过大气压使该保护膜效仿该凹凸而紧贴。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该保护膜紧贴步骤中，在使该保护膜面对该晶片的该正面的状态下，从该晶片的中心部朝向径向外侧依序将该保护膜向该晶片的该正面侧按压，从而使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该保护膜粘贴步骤中，在对该晶片的该正面提供了液体之后，隔着该液体将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。

10.根据权利要求9所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在该剥离步骤中，对存在于该保护膜与该晶片的该正面之间的该液体进行加热而使该液体气化。