[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201810460297.8 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN108962738A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L29/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 保护部件 保护膜 器件区域 磨削 外周剩余区域 紧贴 背面 剥离 加工 液态树脂 凹凸的 环状槽 硬化型 包覆 变薄 内周 覆盖 | ||
1.一种晶片的加工方法,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:
环状槽形成步骤,对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面侧沿着该外周剩余区域的内周形成深度超过该晶片的完工厚度的环状的槽,其中,在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件;
保护膜紧贴步骤,利用保护膜对该晶片的该器件区域和该槽进行覆盖,使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧;
带保护部件的晶片形成步骤,利用保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆,形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片,其中,该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成;
磨削步骤,在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下,对该晶片的背面进行磨削而使该晶片变薄至该完工厚度,并且使该槽在该背面侧露出,从而将由该保护部件覆盖的状态的该晶片分离成环状部和圆形部,该环状部包含该外周剩余区域,该圆形部包含该器件区域;以及
剥离步骤,将该保护部件和该保护膜从该圆形部的该器件区域剥离而与该环状部一起去除。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该保护膜紧贴步骤中,将该保护膜压入至该槽并与该槽紧贴。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该环状槽形成步骤中,利用切削刀具沿着该外周剩余区域的内周对该晶片的该正面侧进行切削而形成该槽。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该环状槽形成步骤中,沿着该外周剩余区域的内周对该晶片的该正面侧照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束而形成该槽。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的晶片的加工方法,其特征在于,
该晶片的外周缘的该正面侧被进行了倒角,
在该带保护部件的晶片形成步骤中,按照对包含该被进行了倒角的该外周缘的该正面侧的一部分在内的该晶片的该正面侧进行覆盖的方式包覆该保护部件。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该带保护部件的晶片形成步骤中,在隔着该保护膜将该晶片按压至被涂布在平坦的片上的该液态树脂之后,利用外部刺激使该液态树脂硬化而将由该液态树脂构成的该保护部件固定在该晶片上。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该保护膜紧贴步骤中,在减压下将该保护膜向该晶片的该正面按压,然后通过大气压使该保护膜效仿该凹凸而紧贴。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该保护膜紧贴步骤中,在使该保护膜面对该晶片的该正面的状态下,从该晶片的中心部朝向径向外侧依序将该保护膜向该晶片的该正面侧按压,从而使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该保护膜粘贴步骤中,在对该晶片的该正面提供了液体之后,隔着该液体将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。
10.根据权利要求9所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该剥离步骤中,对存在于该保护膜与该晶片的该正面之间的该液体进行加热而使该液体气化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810460297.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功函数调节层的制造方法
- 下一篇:芯片切割送料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造