[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，对晶片的背面侧进行磨削时能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，磨削后的处理也简单。该晶片的加工方法包含：环状槽形成步骤，对在正面具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片的正面侧沿着外周剩余区域的内周形成深度超过晶片的完工厚度的环状的槽；保护膜紧贴步骤，利用保护膜对器件区域和槽进行覆盖，使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用由硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜和露出的外周剩余区域进行包覆，形成带保护部件的晶片；磨削步骤，在对保护部件侧进行了保持的状态下，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄至完工厚度；和剥离步骤，将保护部件和保护膜从器件区域剥离。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在对正面上具有凹凸的晶片进行磨削时使用该晶片的加工方法。

背景技术

为了使组入各种电子设备等的器件芯片小型化、轻量化，将被分割成器件芯片前的晶片加工得较薄的机会增加。例如利用卡盘工作台对晶片的设置有器件的正面侧进行保持并将旋转的磨具工具向晶片的背面侧按压，从而能够对该晶片进行磨削而变薄。

在利用上述那样的方法对晶片进行磨削时，通常在晶片的正面侧粘贴保护部件(例如，参照专利文献1)。由此，能够防止由于磨削时施加的力等使正面侧的器件破损。作为保护部件，例如使用由树脂等材料形成的粘接带或硬度高的基板等。

专利文献1：日本特开平10-50642号公报

但是，大多情况下在该晶片的正面侧因作为器件的电极发挥功能的凸块等而形成有凹凸。当在晶片的正面侧存在凹凸时，无法利用粘接带充分地缓和该凹凸的高低差，会在磨削后的晶片的背面侧出现与凹凸对应的形状。

另一方面，若使用硬度高的基板作为保护部件，则几乎不会产生这样的问题。但是，该基板利用热塑性蜡等粘接剂粘接在晶片上，因此在将基板从磨削后的晶片剥离时，需要浸渍于溶液或进行高温加热之类的繁琐的作业。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，在对晶片的背面侧进行磨削时，能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，并且磨削后的处理也简单。

根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：环状槽形成步骤，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面侧沿着该外周剩余区域的内周形成深度超过该晶片的完工厚度的环状的槽，其中，在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件；保护膜紧贴步骤，利用保护膜对该晶片的该器件区域和该槽进行覆盖，使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削而使该晶片变薄至该完工厚度，并且使该槽在该背面侧露出，从而将由该保护部件覆盖的状态的该晶片分离成环状部和圆形部，该环状部包含该外周剩余区域，该圆形部包含该器件区域；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从该圆形部的该器件区域剥离而与该环状部一起去除。

在本发明的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，将该保护膜压入至该槽并与该槽紧贴。

另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该环状槽形成步骤中，利用切削刀具沿着该外周剩余区域的内周对该晶片的该正面侧进行切削而形成该槽。

另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该环状槽形成步骤中，沿着该外周剩余区域的内周对该晶片的该正面侧照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束而形成该槽。